Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 3.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンINFINEON¥42,980税込¥47,278
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PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 64 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大パワー消費 = 1.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm高さ = 1.02mmRoHS指令(10物質対応)対応