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「lto5」の検索結果

Ultrium LTO5テープカートリッジ 1.5TB/3.0TB
日本IBM¥6,998税込¥7,6981台8日以内出荷新規格LTO(Liner Tape-Open)に基づいて開発LTO規格の特徴であるサーボ信号に対応、LTO Ultrium5 圧縮時3.0TB、非圧縮時1.5TB
ホワイト5
ヤマニパッケージ¥21,980税込¥24,1781ケース(40枚)5日以内出荷フタが貼合+プレスコートの白箱のホワイトシリーズ。無地でフルーツ以外にも使用可能。グレープフルーツ36玉が10個入ります。深さが120mm。仕様フタ・身適合グレープフルーツ36玉10個種別果物・フルーツ寸法(mm)370×270×120質量(g)30.18構成部品2
強粘着高耐久ラインテープ
TRUSCO¥11,980税込¥13,1781巻当日出荷塩ビフィルムとアルミ箔を張り合わせた製品のため高耐久であるとともに、テープが切れにくく剥がしやすくなっています。屋外での耐侯性に優れたフィルムを使用しています。用途屋外・屋内の区画線引きに。材質基材: 塩ビフィルム・アルミ箔、粘着剤:アクリル系幅(mm)50厚さ(mm)0.17長さ(m)20引張強度(N/10mm)51.3粘着力(N/25mm)27.7
LTOテープ Ultrium5テープ(5巻)
日本IBM¥44,980税込¥49,4781セット(5巻)11日以内出荷LTOテープ。【仕様】。・容量:1.5(非圧縮時)・3TB(2:1圧縮時)。【構成品】。Ultrium5テープ(5巻)寸法(mm)130×270×210質量(kg)1.5容量(TB)1.5(非圧縮時)、3(2:1圧縮時)
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 5Ω ±5%, LTO050F5R000JTE3
VISHAY¥31,980税込¥35,1781セット(50個)7日以内出荷抵抗 = 5Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値5ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 5Ω ±5%, LTO030F5R000JTE3
VISHAY¥909税込¥1,0001個7日以内出荷抵抗 = 5Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値5ΩRoHS指令(10物質対応)対応
LTO7データカートリッジ 5巻セット
NEC三菱¥519,800税込¥571,7801式13日以内出荷LTO7(6 000GB)データカートリッジ5巻セット仕様●アスベスト:非含有●RoHS指令:不明●J-Moss:対象外●環境自己主張マーク:なし●電波法備考:電波を発しないため●電気通信事業法備考:公衆回線に直接接続しないため●電波法:非対象●電気通信事業法:非対象●法規関連確認日:20170314●電気用品安全法(本体):非対象●電気用品安全法(付属品等):非対象●電気用品安全法(備考):非対象●※RoHS指令情報は2024年3月時点のものです。アズワン品番68-4200-78
LTO8データカートリッジ 5巻セット
NEC三菱¥669,800税込¥736,7801式13日以内出荷LTO8(12 000GB)データカートリッジ5巻セット、他社ブランド品仕様●アスベスト:非合有●RoHS指令:対応●J-Moss:対象外●環境自己主張マーク:なし●電波法備考:非対象(電界強度が対象外の為)●電気通信事業法備考:非対象(公衆回線に接続しない為)●電波法:非対象●電気通信事業法:非対象●法規関連確認日:20210628●電気用品安全法(本体):非対象●電気用品安全法(付属品等):非対象●※RoHS指令情報は2024年3月時点のものです。アズワン品番68-4200-79
LTOテープ Ultrium8テープ(5巻)
日本IBM¥99,980税込¥109,9781セット(5巻)11日以内出荷LTOテープ。【仕様】。・容量:12TB(非圧縮時)・30TB(2.5:1圧縮時)。【構成品】。Ultrium8テープ(5巻)寸法(mm)130×270×210質量(kg)1.5
LTOテープ Ultrium7テープ(5巻)
日本IBM¥84,980税込¥93,4781セット(5巻)11日以内出荷LTOテープ。【仕様】。・容量:6TB(非圧縮時)・15TB(2.5:1圧縮時)。【構成品】。Ultrium7テープ(5巻)寸法(mm)130×270×210質量(kg)1.5容量(TB)6(非圧縮時)、15(2.5:1圧縮時)
LTOテープ Ultrium6テープ(5巻)
日本IBM¥54,980税込¥60,4781セット(5巻)11日以内出荷LTOテープ。【仕様】。・容量:2.5TB(非圧縮時)・6.25TB(2.5:1圧縮時)。【構成品】。Ultrium6テープ(5巻)寸法(mm)130×270×210質量(kg)1.5容量(TB)2.5(非圧縮時)、6.25(2.5:1圧縮時)
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 1kΩ ±5%, LTO050F10000JTE3
VISHAY¥699税込¥7691個7日以内出荷抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値1kΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 100mΩ ±5%, LTO050FR1000JTE3
VISHAY¥819税込¥9011個7日以内出荷抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値100mΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 470mΩ ±5%, LTO050FR4700JTE3
VISHAY¥849税込¥9341個7日以内出荷抵抗 = 470mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±250ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値470mΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 50mΩ ±5%, LTO030FR0500JTE3
VISHAY¥729税込¥8021個7日以内出荷抵抗 = 50mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±700ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値50mΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 100Ω ±5%, LTO050F100R0JTE3
VISHAY¥739税込¥8131個7日以内出荷抵抗 = 100Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値100ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 2.2Ω ±5%, LTO030F2R200JTE3
VISHAY¥639税込¥7031個7日以内出荷抵抗 = 2.2Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値2.2ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 100W 1Ω ±5%, LTO100F1R000JTE3
VISHAY¥999税込¥1,0991個7日以内出荷抵抗 = 1Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω~1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値1ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 1Ω ±5%, LTO050F1R000JTE3
VISHAY¥1,098税込¥1,2081個7日以内出荷抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値1ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 10mΩ ±5%, LTO030FR0100JTE3
VISHAY¥1,198税込¥1,3181個7日以内出荷抵抗 = 10mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値10mΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 100mΩ ±5%, LTO030FR1000JTE3
VISHAY¥749税込¥8241個7日以内出荷抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値100mΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 10kΩ ±5%, LTO030F10001JTE3
VISHAY¥699税込¥7691個7日以内出荷抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値10kΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 47Ω ±5%, LTO030F47R00JTE3
VISHAY¥27,980税込¥30,7781セット(50個)7日以内出荷抵抗 = 47Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値47ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 47Ω ±5%, LTO050F47R00JTE3
VISHAY¥719税込¥7911個7日以内出荷抵抗 = 47Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値47ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 4.7Ω ±5%, LTO050F4R700JTE3
VISHAY¥669税込¥7361個7日以内出荷抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値4.7ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 22Ω ±5%, LTO050F22R00JTE3
VISHAY¥699税込¥7691個7日以内出荷抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値22ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 100W 10Ω ±5%, LTO100F10R00JTE3
VISHAY¥1,098税込¥1,2081個7日以内出荷抵抗 = 10Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 10.16mm。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω~1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値10ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 22Ω ±5%, LTO030F22R00JTE3
VISHAY¥629税込¥6921個7日以内出荷抵抗 = 22Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値22ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 100Ω ±5%, LTO030F100R0JTE3
VISHAY¥629税込¥6921個7日以内出荷抵抗 = 100Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値100ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 100W 4.7Ω ±5%, LTO100F4R700JTE3
VISHAY¥889税込¥9781個7日以内出荷抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω~1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値4.7ΩRoHS指令(10物質対応)対応
SC LTO-8 Ext Tp Drv 5xLTO-8 30TB Crtg
HP(日本ヒューレット・パッカード)¥1,096,980税込¥1,206,6781台翌々日出荷仕様●規格分類:LTO-8●電気用品安全法(付属品等):適合/例外承認●電気用品安全法(備考):本体対象外・電源コードセット適合●電気通信事業法備考:規制の対象機器でない●電波法備考:規制の対象機器でないRoHS指令(10物質対応)対応
LTO Ultrium7 データカートリッジ 6.0/15.0TB 5巻パック
富士フイルム¥69,980税込¥76,9781台翌日出荷LTO世界シェアNo1。世界初のバリウムフェライト(BaFe)磁性体を採用。 1巻毎のシュリンク包装を無くしたゴミ軽減エコ包装に変更
Vishay 電力用抵抗器 LTO100シリーズ 1kΩ 100W ±5%
VISHAY¥1,198税込¥1,3181個翌々日出荷仕様抵抗 = 1kΩ定格電力 = 100W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO100ケーススタイル = モールド温度係数 = ±150ppm/℃終端スタイル = ラジアルパッケージ/ケース = TO-247寸法 = 15.76 x 5 x 20.7mm長さ = 15.76mm奥行き = 5mm高さ = 20.7mmリードピッチ = 10.16mmLTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω~1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 電力用抵抗器 LTO100シリーズ 100Ω 100W ±5%
VISHAY¥1,198税込¥1,3181個7日以内出荷仕様抵抗 = 100Ω定格電力 = 100W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO100ケーススタイル = モールド温度係数 = ±150ppm/℃終端スタイル = ラジアルパッケージ/ケース = TO-247寸法 = 15.76 x 5 x 20.7mm長さ = 15.76mm奥行き = 5mm高さ = 20.7mmリードピッチ = 10.16mmLTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω~1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 電力用抵抗器 LTO100シリーズ 100mΩ 100W ±5%
VISHAY¥1,198税込¥1,3181個7日以内出荷仕様抵抗 = 100mΩ定格電力 = 100W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO100ケーススタイル = モールド温度係数 = ±250ppm/℃終端スタイル = ラジアルパッケージ/ケース = TO-247寸法 = 15.76 x 5 x 20.7mm長さ = 15.76mm奥行き = 5mm高さ = 20.7mm最大動作温度 = +175℃LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω~1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整RoHS指令(10物質対応)対応
Smart Choice StoreEver Ultrium ラックマウント テープドライブ 5x データカートリッジ モデル
HP(日本ヒューレット・パッカード)¥1,298,000税込¥1,427,8001個5日以内出荷ラックマウント テープドライブ。
LTOテープ
富士フイルム¥5,998税込¥6,5981個当日出荷から4日以内出荷性能保存:30年以上テープ幅(mm)12.65方式タイミングベースサーボ方式幅W×厚さ×高さH(mm)105.4×21.5×102.0
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 10Ω ±1%, LTO050F10R00FTE3
VISHAY¥999税込¥1,0991個7日以内出荷抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値10Ω
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 1Ω ±1%, LTO050F1R000FTE3
VISHAY¥1,698税込¥1,8681個7日以内出荷抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整抵抗値1Ω































