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MOS FETリレー DIP8ピン 多極接点構成タイプ Aratas(旧:omron)MOS FETリレー DIP8ピン 多極接点構成タイプAratas(旧:omron)
879税込967特価
1個
当日出荷から31日以内出荷
MOS FETリレー DIP 汎用タイプ Aratas(旧:omron)MOS FETリレー DIP 汎用タイプAratas(旧:omron)(4件のレビュー)
799,800税込879,780
1パック(1500個)
31日以内出荷
MOS FETリレー DIP4ピン 高容量&低オン抵抗タイプ Aratas(旧:omron)MOS FETリレー DIP4ピン 高容量&低オン抵抗タイプAratas(旧:omron)(1件のレビュー)
789税込868
1個ほか
当日出荷から31日以内出荷
MOS FETリレー SOP4ピン 汎用タイプ Aratas(旧:omron)MOS FETリレー SOP4ピン 汎用タイプAratas(旧:omron)
199税込219
1個ほか
当日出荷から86日以内出荷
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝
759税込835
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
MOS FETリレー DIP4ピン 小型&高絶縁タイプ Aratas(旧:omron)MOS FETリレー DIP4ピン 小型&高絶縁タイプAratas(旧:omron)
339税込373
1個ほか
当日出荷から81日以内出荷
パワーMOS FETリレー G3RZ omron(オムロン)パワーMOS FETリレー G3RZomron(オムロン)(1件のレビュー)
2,298税込2,528
1個
当日出荷
形G2Rと同一形状のパワーMOS FETリレー。 AC/DC両用、1A負荷開閉可能。 AC240VまたはDC100V、1Aの負荷開閉可能。 出力間開路時漏れ電流10μA以下。 入出力間耐電圧AC2500V。 入力抵抗と過電圧吸収回路内蔵。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 RoHS適合。
質量(g)約20負荷電圧(V)AC3~264、DC3~125出力の適合負荷1.0A AC5~240V、DC5~100V絶縁方式フォト・ボル・カプラ絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500Vメガにて)使用周囲温度(℃)-30~+85(ただし、氷結および結露しないこと)端子構造プラグイン端子使用周囲湿度45~85%RH定格負荷電圧(V)DC5~100 AC5~240保存温度範囲(℃)-30~+100(ただし、氷結および結露しないこと)漏れ電流(mA)開路時/1×10-2以下(DC125Vにて)、0.1以下(AC200Vにて)復帰電圧DC1V以上耐衝撃(m/s2)1000耐振動10~55~10Hz 片振幅0.75mm(複振幅1.5mm)出力オン抵抗(Ω)2.4以下負荷電流(A)100μA~1Aサージオン電流耐量(A)10(10ms)RoHS指令(10物質対応)対応耐電圧(V/min)(入出力間)AC2500 50/60Hz商品タイプリレー同一形状ゼロクロス機能
パワーMOS FETリレー G3DZ omron(オムロン)パワーMOS FETリレー G3DZomron(オムロン)(2件のレビュー)
999税込1,099
1個
当日出荷から61日以内出荷
形G6Dと同一形状でAC/DC両用、DC専用をシリーズ化。 出力間開路時漏れ電流10μA以下。 入出力間耐電圧AC2500V。 過電圧吸収回路内蔵。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 RoHS適合。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET東芝
539税込593
1個ほか
当日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
MOSFET N-CHANNEL VISHAYMOSFET N-CHANNELVISHAY
1,498税込1,648
1個ほか
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
パワーMOS FETリレー G3FM omron(オムロン)パワーMOS FETリレー G3FMomron(オムロン)
4,898税込5,388
1個
当日出荷から9日以内出荷
漏れ電流100μA以下、ブリーダ抵抗不要の微少負荷開閉用のSSR。 形MY(2極タイプ)と同寸法。 1~500mAの微少負荷開閉用のソリッドステート・リレー。 AC・DC共用開閉で、DC開閉は無極性。 AC19.2~264V、DC19.2~125Vと広範囲の開閉が可能。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 動作表示ランプ付。SSRへの入力状態がひと目で確認可能。 形MYを直接開閉(ブリーダ抵抗不要)。 バリスタ内蔵により外来サージの吸収効果が優れています。
用途微少負荷制御用・バルブ・ソレノイド質量(g)約50負荷電圧(V)AC19.2~264、DC19.2~125出力の適合負荷0.5A AC24~240V、DC24~110V絶縁方式フォト・ボル・カプラ絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500Vメガにて)使用周囲温度(℃)-30~+80(ただし、氷結および結露しないこと)端子構造プラグイン端子定格負荷電圧(V)DC24~110 AC24~240出力オン電圧降下3V(RMS)以下漏れ電流(mA)0.1以下(AC200Vにて)復帰電圧DC1V以上耐衝撃(m/s2)1000耐振動10~55~10Hz 片振幅0.75mm(複振幅1.5mm)負荷電流(A)1~500mA (40℃にて)サージオン電流耐量(A)6(10ms)保管温度(℃)-30~+100(ただし、氷結および結露しないこと)耐電圧(V/min)AC1500 50/60Hz商品タイプリレー同一形状使用周囲湿度(%RH)45~85ゼロクロス機能
Toshiba Nチャンネル MOSFET 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET東芝(1件のレビュー)
499税込549
1個ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
MOS FETリレー DIP4ピン 小型&高絶縁タイプ omron(オムロン)MOS FETリレー DIP4ピン 小型&高絶縁タイプomron(オムロン)
299税込329
1個
欠品中
RoHS指令(10物質対応)対応再生材使用使用
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFETSTMicro(1件のレビュー)
419税込461
1個ほか
当日出荷から7日以内出荷
MOS FETリレー omron(オムロン)MOS FETリレーomron(オムロン)
379税込417
1個
13日以内出荷
MOS FETリレー SOP4ピン 低端子間容量&低オン抵抗タイプ(低C×R) Aratas(旧:omron)MOS FETリレー SOP4ピン 低端子間容量&低オン抵抗タイプ(低C×R)Aratas(旧:omron)
549税込604
1個ほか
4日以内出荷から81日以内出荷
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 9 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 9 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ東芝(1件のレビュー)
999税込1,099
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
MOS FETリレー VSON 小型&高電圧タイプ Aratas(旧:omron)MOS FETリレー VSON 小型&高電圧タイプAratas(旧:omron)
1,298税込1,428
1個ほか
21日以内出荷から81日以内出荷
MOS FETリレー S-VSON4ピン 高容量&低オン抵抗タイプ Aratas(旧:omron)MOS FETリレー S-VSON4ピン 高容量&低オン抵抗タイプAratas(旧:omron)
1,698税込1,868
1個ほか
21日以内出荷から81日以内出荷
負荷電圧(V)30
MOS FETリレー VSON 低端子間容量&低オン抵抗タイプ (低C×R) Aratas(旧:omron)MOS FETリレー VSON 低端子間容量&低オン抵抗タイプ (低C×R)Aratas(旧:omron)
1,098税込1,208
1個ほか
21日以内出荷から81日以内出荷
MOS FETリレー カレントリミットタイプ Aratas(旧:omron)MOS FETリレー カレントリミットタイプAratas(旧:omron)
439税込483
1個ほか
31日以内出荷
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 2 A, 3 ピン パッケージPW成形 TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 2 A, 3 ピン パッケージPW成形 TK シリーズ東芝
199税込219
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = PW成形実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 60 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 280 pF @ 25 VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
MOS FETリレー SOP6ピン 汎用タイプ Aratas(旧:omron)MOS FETリレー SOP6ピン 汎用タイプAratas(旧:omron)
319税込351
1個ほか
31日以内出荷
パワーMOS FETリレー G3DZPUシリーズ omron(オムロン)パワーMOS FETリレー G3DZPUシリーズomron(オムロン)
9,998税込10,998
1個
31日以内出荷
MOS FETリレー DIP6ピン 高絶縁タイプ Aratas(旧:omron)MOS FETリレー DIP6ピン 高絶縁タイプAratas(旧:omron)
449税込494
1個ほか
31日以内出荷
MOS FETリレー SOP8ピン 多極接点構成タイプ Aratas(旧:omron)MOS FETリレー SOP8ピン 多極接点構成タイプAratas(旧:omron)
669税込736
1個
31日以内出荷
ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 200 mA, 3 ピン パッケージTO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 200 mA, 3 ピン パッケージTO-92ON SEMICONDUCTOR
459税込505
1袋(10個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 400 mW動作温度 Max = +150 ℃強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
Wolfspeed Nチャンネル パワーMOSFET WOLFSPEEDWolfspeed Nチャンネル パワーMOSFETWOLFSPEED
2,698税込2,968
1個ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 124 A スルーホール パッケージダイレクトFET大型キャン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET100 V 124 A スルーホール パッケージダイレクトFET大型キャンINFINEON
539税込593
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 124 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = ダイレクトFET大型キャン実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
ターミナルリレー G6D-F4B / G3DZ-F4B omron(オムロン)ターミナルリレー G6D-F4B / G3DZ-F4Bomron(オムロン)(5件のレビュー)
4,398税込4,838
1個
当日出荷
使いやすさと省スペースを追求した4点出力用ターミナルリレー。幅31×高さ35×奥行68mm。 PYFソケットと同等のサイズ。独立接点、独立コイル。ショートバー(別売)で、簡単にコモン接続。しかも、隣りあうターミナルもコモン接続可能。端子カバーで、感電防止。リレー搭載タイプとパワーMOS FETリレー搭載タイプを品揃え。動作表示LEDつき。コイルサージ吸収用ダイオード内蔵。DINレール取りつけ、ねじ取りつけ共用。標準品でUL、CSA、VDE規格認定品(VDE規格は形G6D-F4Bのみ)。
質量(g)約65使用温度範囲(℃)-25~55(結露、氷結しないこと)保存温度(℃)-25~65(結露、氷結しないこと)接触抵抗(mΩ)100以下(DC5V 1A)保管温度(℃)-25~+55(ただし、氷結しないこと)使用周囲湿度(%RH)45~85
ミニPWM発生器キット 共立電子産業ミニPWM発生器キット共立電子産業
1,398税込1,538
1セット
当日出荷
ミニPWM発生器キットは、CMOS版の555を使用した固定周波数/可変デューティ比発振回路の組み立てキットです。基板上のボリュームで、PWM出力のデューティ比を約10%~90%の範囲で可変できます。基板上にパワーMOS-FETを搭載していますので、1Aくらいの負荷(小型DCモータなど)を直接駆動できます。パワーMOS-FET部の電源は、発振回路部の電源とは別電源にできます。基板はM3ネジで取り付け可能。
電源電圧DC5V~12Vデューティー比約10%~90%(可変)発振周波数(kHz)約25(固定)最大負荷電流(A)【パワーMOS-FET部】平均1基板寸法(mm)約47×33 ※ボリュームの出っ張りは含みません
Toshiba Pチャンネル MOSFET 東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET東芝(1件のレビュー)
1,798税込1,978
1袋(5個)ほか
当日出荷
実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型
Nexperia Nチャンネル MOSFET nexperiaNexperia Nチャンネル MOSFETnexperia
839税込923
1リール(10個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
MOSFET Panasonic(パナソニック)MOSFETPanasonic(パナソニック)
26,980税込29,678
1箱(50個)
33日以内出荷
100W×4・ブリッジャブルパワーアンプ carrozzeria100W×4・ブリッジャブルパワーアンプcarrozzeria
23,980税込26,378
1台
9日以内出荷
小型・省電力設計ながら、。圧倒的な空間描写と臨場感を実現する。「ハイレゾ」対応モデル。「GM-D2400 あり/なし」を切換えて。音を聴き比べてみよう。ヘッドホンヘッドホンやイヤホンをつないで、GM-D2400の有無による音の違いをご体験ください。高性能のClass D増幅回路を採用。100W×4chのハイパワーアンプが、コンパクト設計ながら大音量時でもクリアかつパワフルなサウンドを実現します。また、より電源効率の高いClass D増幅回路を搭載。出力段にハイスピードなMOS FETを採用し、応答性に優れたパルス増幅を実現するなど、デジタルアンプの特性を極限まで追求しています。
仕様●アース方式:マイナスアース方式●ハイパスフィルター:(カットオフ周波数)80Hz、(スロープ)-12dB/oct.●ローパスフィルター:(カットオフ周波数)80Hz、(スロープ)-12dB/oct.●最大入力 レベル/インピーダンス:(カーステレオのRCA出力と接続時)6.5V/22kΩ、(カーステレオのSP出力と接続時)16V/22kΩ●負荷インピーダンス:4Ω(2Ω~8Ω使用可能)●高調波歪率:0.05%(4W、1kHz)付属品取付キット、コードユニット、取扱説明書、保証書質量(kg)0.58(コード含まず)外形寸法181(W)mm×38(H)mm×64(D)mm定格出力(14.4V)45W×4(20Hz~20kHz、≦1% THD、4Ω)、45W×4(1kHz、≦1% THD、2Ω)、90W×2(1kHz、≦1% THD、4Ω[BRIDGE])周波数特性10Hz~40kHz(+0dB、-3dB)最大出力(14.4V)100W×4(4Ω、4ch)、200W×2(4Ω[BRIDGE])使用電源(V)14.4 DC(10.5~16.0使用可能)消費電流(A)平均:1.6(4Ω、4ch)、1.6(4Ω、2ch[BRIDGE])、1.6(2Ω、4ch)、(カーステレオのRCA出力と接続時)6.5V/22kΩ、(カーステレオのSP出力と接続時)16V/22kΩS/N比93dBヒューズ15Aゲインコントロール(ロー入力)200mV~6.5V、(ハイ入力)0.8V~16V
MOS FETリレー SSOP 小型&高電圧タイプ Aratas(旧:omron)MOS FETリレー SSOP 小型&高電圧タイプAratas(旧:omron)
879税込967
1個ほか
81日以内出荷
MOS FETリレー USOP 小型&高電圧タイプ Aratas(旧:omron)MOS FETリレー USOP 小型&高電圧タイプAratas(旧:omron)
959税込1,055
1個ほか
81日以内出荷
イートン PA-SERIES パワーアンプ ETONイートン PA-SERIES パワーアンプETON
47,980税込52,778
1個
6日以内出荷
・ETONのPA-SERIES POWER AMPS 85W×2ch パワーアンプ、PA2です。・新開発されたPAシリーズはD級動作で消費電流を抑えながらハイパワーと音楽性を追求、さらにマイクロサイズを実現した超小型パワーアンプです。・デジタルパワーアンプの出力回路は、高周波は成分を取り除くためにローパスフィルターが必要になります。このフィルターが音質へ大きく影響します。・PAシリーズは、平板を巻いた贅沢な高級コイルを採用、直流抵抗を極力抑え、負荷インピーダンスによる周波数特性の変化が少なく、低歪を実現しています。これによりダンピングの効いた高音質再生を可能にしています。・電源回路はMOS-FET 2パラレル駆動の強力なパワーサプライを採用。余分な発熱を抑え、電源部の小型化が実現しています。・入力部はグランドループにならないフローティング回路を採用しました。外部からのノイズ混入を極力抑えた仕様です。・出力部のMOS-FETはオーディオ専用品を採用、2パラレル接続の仕様とし大振幅でもフルスイング駆動を可能にしています。・出力部のローパスフィルターには板巻きの高級チョークコイルを採用し直流抵抗を大幅に抑え、サウンドクオリティーを追求しました。・内蔵のクロスオーバーはハイパス/ローパス切換えて使用できます。調整範囲の広い周波数帯とし、バリアブルで調整が可能です。・ヘッドユニットのスピーカー出力に接続できるハイレベル入力に対応しています。・また、ヘッドユニットに連動してリモートインができる様にオートパワーオンを機能、このオートパワーオンを機能はDC検出と信号検出を選択して設定が可能で、あらゆるヘッドユニットに対応しました。ハイレベル専用4ピンコネクター付属。・さらに高出力純正アンプからの接続にも対応可能な入力レンジ切替機能、VW/AUDI/BMW純正アンプのエラープロテクションシステムに対応するための入力負荷切替機能を搭載しています。・プロテクションは、サーマル、オーバーロード、ショートなどの異常の場合には、ハイスピードプロテクション機能が動作します。
仕様●オートパワーオン機能:対応(ハイレベル入力時)DC/Signal/OFF切換式●クロスオーバー周波数/スロープ:HP 25~250Hz バリアブル、Butterworth 12dB/oct / LP 25~250Hz バリアブル、Butterworth 12dB/oct●ダンピングファクター:40以上●ハイレベル入力:専用4ピンコネクター●ハイレベル負荷切換機能(Ω):10/150/600●プリアウト:RCA 2ch●内蔵クロスオーバータイプ:HP/LP切替式●出力部動作クラス:D級質量(g)650電流(A)アイドリング電流:0.8(無信号時)電源電圧(V)動作:8.5~15.5外形寸法(幅W×高さH×奥行D)(mm)110×45×85周波数特性20~20kHz入力感度0.45V(450mV)~6.0V内蔵ヒューズ無し 外付ヒューズ40A推奨S/N比88dB以上歪率(%)0.01以下入力モード2ch/4ch最大出力電力85W×2ch 4Ωステレオ/140W×2ch 2Ωステレオ/285W×1ch 4Ωブリッジチャンネルモード1ch/2ch入力インピーダンス(kΩ)22
MOS FETリレー SOP4ピン 高電圧タイプ Aratas(旧:omron)MOS FETリレー SOP4ピン 高電圧タイプAratas(旧:omron)
569税込626
1個ほか
81日以内出荷
イートン PA-SERIES パワーアンプ ETONイートン PA-SERIES パワーアンプETON
57,980税込63,778
1個
6日以内出荷
・ETONのPA-SERIES POWER AMPS 45W×2ch + 80W×2ch パワーアンプ、PA4です。・新開発されたPAシリーズはD級動作で消費電流を抑えながらハイパワーと音楽性を追求、さらにマイクロサイズを実現した超小型パワーアンプです。・デジタルパワーアンプの出力回路は、高周波は成分を取り除くためにローパスフィルターが必要になります。このフィルターが音質へ大きく影響します。・PAシリーズは、平板を巻いた贅沢な高級コイルを採用、直流抵抗を極力抑え、負荷インピーダンスによる周波数特性の変化が少なく、低歪を実現しています。これによりダンピングの効いた高音質再生を可能にしています。・電源回路はMOS-FET 2パラレル駆動の強力なパワーサプライを採用。余分な発熱を抑え、電源部の小型化が実現しています。・入力部はグランドループにならないフローティング回路を採用しました。外部からのノイズ混入を極力抑えた仕様です。・出力部のMOS-FETはオーディオ専用品を採用、2パラレル接続の仕様とし大振幅でもフルスイング駆動を可能にしています。・出力部のローパスフィルターには板巻きの高級チョークコイルを採用し直流抵抗を大幅に抑え、サウンドクオリティーを追求しました。・内蔵のクロスオーバーはハイパス/ローパス切換えて使用できます。調整範囲の広い周波数帯とし、バリアブルで調整が可能です。・ヘッドユニットのスピーカー出力に接続できるハイレベル入力に対応しています。・また、ヘッドユニットに連動してリモートインができる様にオートパワーオンを機能、このオートパワーオンを機能はDC検出と信号検出を選択して設定が可能で、あらゆるヘッドユニットに対応しました。ハイレベル専用4ピンコネクター付属。・さらに高出力純正アンプからの接続にも対応可能な入力レンジ切替機能、VW/AUDI/BMW純正アンプのエラープロテクションシステムに対応するための入力負荷切替機能を搭載しています。・プロテクションは、サーマル、オーバーロード、ショートなどの異常の場合には、ハイスピードプロテクション機能が動作します。
仕様●オートパワーオン機能:対応(ハイレベル入力時)DC/Signal/OFF切換式●クロスオーバー周波数/スロープ:HP 50~5KHz バリアブル、Butterworth 12dB/oct / LP 50~5KHz バリアブル、Butterworth 12dB/oct●ダンピングファクター:65以上●ハイレベル入力:専用4ピンコネクター×2個(フロント/リア各1個)●ハイレベル負荷切換機能(Ω):10/150/600●プリアウト:未対応●内蔵クロスオーバータイプ:HP/LP切替式●出力部動作クラス:D級質量(g)680電流(A)アイドリング電流:0.8(無信号時)電源電圧(V)動作:8.5~15.5外形寸法(幅W×高さH×奥行D)(mm)128×45×100周波数特性20~20kHz入力感度0.45V(450mV)~6.0V内蔵ヒューズ無し 外付ヒューズ40A推奨S/N比78dB以上歪率(%)0.01以下入力モード2ch/4ch最大出力電力45W×2ch + 80W×2ch 4Ωステレオ/非対応 + 140W×2ch 2Ωステレオ/非対応 + 280W×1ch 4Ωブリッジチャンネルモード2ch/3ch/4ch入力インピーダンス(kΩ)22
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