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形G2Rと同一形状のパワーMOS FETリレー。 AC/DC両用、1A負荷開閉可能。 AC240VまたはDC100V、1Aの負荷開閉可能。 出力間開路時漏れ電流10μA以下。 入出力間耐電圧AC2500V。 入力抵抗と過電圧吸収回路内蔵。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 RoHS適合。

形G6Dと同一形状でAC/DC両用、DC専用をシリーズ化。 出力間開路時漏れ電流10μA以下。 入出力間耐電圧AC2500V。 過電圧吸収回路内蔵。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 RoHS適合。

漏れ電流100μA以下、ブリーダ抵抗不要の微少負荷開閉用のSSR。 形MY(2極タイプ)と同寸法。 1～500mAの微少負荷開閉用のソリッドステート・リレー。 AC・DC共用開閉で、DC開閉は無極性。 AC19.2～264V、DC19.2～125Vと広範囲の開閉が可能。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 動作表示ランプ付。SSRへの入力状態がひと目で確認可能。 形MYを直接開閉(ブリーダ抵抗不要)。 バリスタ内蔵により外来サージの吸収効果が優れています。

使いやすさと省スペースを追求した4点出力用ターミナルリレー幅31×高さ35×奥行68mm。 PYFソケットと同等のサイズ。独立接点、独立コイル。ショートバー(別売)で、簡単にコモン接続。しかも、隣りあうターミナルもコモン接続可能。端子カバーで、感電防止。リレー搭載タイプとパワーMOS FETリレー搭載タイプを品揃え。動作表示LEDつき。コイルサージ吸収用ダイオード内蔵。DINレール取りつけ、ねじ取りつけ共用。標準品でUL、CSA、VDE規格認定品(VDE規格は形G6D-F4Bのみ)。

ミニPWM発生器キットは、CMOS版の555を使用した固定周波数/可変デューティ比発振回路の組み立てキットです。基板上のボリュームで、PWM出力のデューティ比を約10%～90%の範囲で可変できます。基板上にパワーMOS-FETを搭載していますので、1Aくらいの負荷(小型DCモータなど)を直接駆動できます。パワーMOS-FET部の電源は、発振回路部の電源とは別電源にできます。基板はM3ネジで取り付け可能。

小型・省電力設計ながら、圧倒的な空間描写と臨場感を実現する「ハイレゾ」対応モデル「GM-D2400 あり/なし」を切換えて音を聴き比べてみようヘッドホンヘッドホンやイヤホンをつないで、GM-D2400の有無による音の違いをご体験ください。高性能のClass D増幅回路を採用100W×4chのハイパワーアンプが、コンパクト設計ながら大音量時でもクリアかつパワフルなサウンドを実現します。また、より電源効率の高いClass D増幅回路を搭載。出力段にハイスピードなMOS FETを採用し、応答性に優れたパルス増幅を実現するなど、デジタルアンプの特性を極限まで追求しています。