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エコロジープロダクト
「mosfet」の検索結果
Photocoupler， MOSFET， 1a， DIP4
東芝￥1,498税込￥1,6481袋(2個)翌々日出荷接点構成1a仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 48 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = DIP最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 4.58 x 6.4 x 3.65mm高さ = 3.65mm光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba (東芝) フォトカプラ， MOSFET出力
東芝￥2,698税込￥2,9681袋(5個)当日出荷実装タイプスルーホール実装出力デバイスMOSFET最大順方向電圧(V)1.4チャンネル数1ピン数(ピン)4パッケージDIP電流の種類(入力)DC最大入力電流(mA)30シリーズTLP241A絶縁電圧(Vrms)5000
Wolfspeed Nチャンネル パワーMOSFET
WOLFSPEED￥2,698～税込￥2,968～1個翌々日出荷から7日以内出荷チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET
東芝￥1,398税込￥1,5381袋(5個)翌々日出荷仕様MOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)1.9チャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧(V)2カテゴリーパワーMOSFET
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 61.8 A， 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV-H シリーズ
東芝￥2,698税込￥2,9681個欠品中仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 61.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 400 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Photocoupler， MOSFET， 1a， DIP4
東芝￥1,298税込￥1,4281袋(2個)翌々日出荷接点構成1a仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 16 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = DIP最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 4.58 x 6.4 x 3.65mm特殊機能 = 高電流光リレー光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 9.7 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝￥579税込￥6371袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 380 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Photocoupler， MOSFET， 1a， DIP6
東芝￥1,398税込￥1,5381袋(2個)翌々日出荷接点構成1a仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 48 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = DIP最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 7.12 x 6.4 x 3.65mm極数 = 1光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 25 A， 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ
東芝￥3,398税込￥3,7381袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 180 W標準ターンオフ遅延時間 = 90 nsMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 650 V， 27.6 A， 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ
東芝(1件のレビュー)￥2,098税込￥2,3081袋(2個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 27.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 230 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 500 V， 18.5 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝￥2,598税込￥2,8581袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 40 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 25 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝￥4,498税込￥4,9481袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 15.8 A， 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ
東芝￥1,398税込￥1,5381袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 130 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Photocoupler， MOSFET， 1a， 4pin SO6
東芝￥2,398税込￥2,6381袋(10個)翌々日出荷接点構成1a仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 48 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = SO6最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 3.7 x 4.55 x 2.1mm極数 = 1光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 80 V， 157 A， 3 ピン パッケージTO-220 U-MOSVIII-H シリーズ
東芝￥1,898税込￥2,0881袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 157 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 192 W長さ = 10.16mmMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 650 V， 9.3 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝￥1,898税込￥2,0881袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Panasonicフォトカプラ， スルーホール実装， MOSFET出力， AQV254
Panasonic(パナソニック)￥1,198税込￥1,3181個当日出荷タイプ入力電流：DCピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性カナダ / 米国のUL認定. AQV SSR. DIP6ピンタイプ基板実装ソリッドステートリレーは抵抗が低く、コストパフォーマンスに優れています。この基板リレーの主な用途には、高速検査機やデータ通信機器などにあるリレー、ランプ、ソレノイドのようなさまざまな種類の負荷の制御などが挙げられます。. 高感度及び低抵抗 AC又はDCスイッチング 低熱EMF、約1 μV 動作温度範囲: -40 → +85℃ 高速検査機やデータ通信機器などにあるリレー、ランプ、ソレノイドのようなさまざまな種類の負荷を制御パッケージDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイスMOSFET最大入力電流(mA)50絶縁電圧(kV)1.5rms
Photocoupler， MOSFET， 1a， 4pin SO6
東芝￥2,698税込￥2,9681袋(10個)翌々日出荷接点構成1a仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 48 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = SO6最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 3.7 x 4.55 x 2.1mm極数 = 1光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
