「n-200 3m」の検索結果

パックを開けて取り出し、そのままティッシュペーパー感覚で塗ることができます。 空気中の水分と反応して、時間の経過とともに高い接着性を発揮します。

塗料の密着力をアップさせるマルチ(万能)タイプのプライマー。各種金属や樹脂(PP含む)・化粧版・メッキ処理済みにも使えます。万能密着プライマーは変性ポリオレフィン系塗料で、各種金属からプラスチックまで対応した耐久性及び付着性があり、ウレタン、ラッカー、フタル酸、焼付アクリル等の下塗りとしてご使用いただけます。 1.あらゆる素材に強力な付着力。 各種プラスチック、焼付塗膜、電着塗膜、PCM塗膜、非鉄金属ノンクロム処理鋼板等。 2.各種上塗塗料に対する優れた付着性。 ウレタン、ラッカー、フタル酸、焼付メラミン、焼付アクリル等。 3.クロム等重金属は使用していません。 ホルムアルデビトは含んでおりません。

液状プライマーで1缶あたり縁石誘導標を約19枚貼り付け可能。

PP部品と両面テープの密着性を良くするためのプライマーです。 乾燥が早く作業性に優れています。 ウェザーストリップゴムと両面粘着テープとの貼り付けにも使えます。 自動車ラインでも使われています。

透明な合成ゴム系接着剤です。本接着剤は初期接着力が強力で、粘着保持時間が長く、コンタクトボンドとしての特性を兼ね備えています。金属および多くのプラスチック、例えばABS樹脂、強化ポリエステル、ポリプロピレン、低中圧ポリエチレン、ハイインパクトスチレン等に優れた接着力があり、その乾燥皮膚は強靭で柔軟性に富む透明なフィルムとなります。耐水性、耐候性にも優れています。

軽くて丈夫なアルミ製標尺「ニューアルロッド」。検測ロッドの交換用としても利用できます。組み合わせには検測金具をご使用ください。中央にリブを入れ、反り、曲げ、折れに強い構造です。

シーリング材と各種被着材質との接着性を向上させる下地処理剤です。

塗料の密着力をアップさせるマルチ(万能)タイプのプライマー。各種金属や樹脂(PP含む)・化粧板・メッキ処理済みにも使えます。万能密着プライマーは変性ポリオレフィン系塗料で、各種金属からプラスチックまで対応した耐久性及び付着性があり、ウレタン、ラッカー、フタル酸、焼付アクリル等の下塗りとしてご使用いただけます。 1.あらゆる素材に強力な付着力。 各種プラスチック、焼付塗膜、電着塗膜、PCM塗膜、非鉄金属ノンクロム処理鋼板等。 2.各種上塗塗料に対する優れた付着性。 ウレタン、ラッカー、フタル酸、焼付メラミン、焼付アクリル等。 3.クロム等重金属は使用していません。

両面テープがつきにくい素材に塗るだけでつきやすくなる 粘着促進剤 使い捨てタイプ

多種多様な素材に使用可能(PP にも対応) ペーパー研ぎが不要で、作業工程の短縮が可能(一部を除く) 原液のまま使用できる一液タイプ ホルムアルデヒド放散等級F☆☆☆☆適合・RoHS2 対応品 上塗り塗装も幅広く対応し、塗装機器を選ばず実用的 鉛やクロムなど 有害重金属類は一切不使用 黄変無し(上塗りにクリヤー塗装可)

小型・軽量で打撃力が強いです。

両面テープの接着をより確実にする前処理剤、接着面のゴミ・ホコリ・油分をしっかり除去

両面テープの接着をより確実にする前処理剤。接着面のゴミ・ホコリ・油分をしっかり除去

速乾性で非常に優れた接着力、耐久力を保ち、長い粘着保持期間を有します。 速乾性のクロロプレン系接着剤。 テープのプライマーとして使用可能です。 トルエン・キシレンは使用していません。 JIS F☆☆☆☆(国土交通大臣認定番号NFN-1828)規格品です。 厚生労働省指針値13物質不使用

タップハンドル×2本・ダイスハンドル×5本・ドライバー・ピッチゲージ入り タップは各サイズ(先、中、上)3本入りです。

衝撃に強い再生ポリカーボネート樹脂製ホルダーで、IDカードをしっかり守ります。

養生テープのつきにくいコンクリート面、レンガの凹凸面に。 潤滑面でも、少量塗布するだけで養生テープをぴったり貼ることができます。

汗や油が付いた手でもトルクセットし易い、新副目盛形状。 設定されたトルクに達するとトグルが作動し、軽くきれいなシグナル音で締付け完了を感知できます。 RoHS対応品 アジャスタブル型 メタルグリップ。 頭部ラチェットは24枚刻み、15度の振り幅で狭い場所での締付けに威力を発揮します。 トルクの変更は目盛によって容易に行えます。

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。パッケージタイプ TO-220。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 400 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 75 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。長さ 10.4mm。動作温度 Min -65 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

デンゲンのフリーマッチングホースとゲージ付きマニホールドとの組合せ

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 280 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。QFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 61 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 41 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 417000 mW。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.83mm。高さ 9.4mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

裏紙を剥がして貼るだけの簡単施工でスリップ事故を防ぎます。 水やオイルがかかってもその効果は変わりません。 パッキング(裏地)にアルミフォイルを使用し、凹凸のある面に優れた粘着力を発揮するすべり止めテープ製品です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ STripFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

耐熱区分H種(180℃)相当の耐熱性に優れたテープです。 なじみが良く、引張強度にも優れています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 62 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 260 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.67mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 39 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 66 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 37 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.9mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 30 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 85 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 190 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ STripFET。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 1V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。幅 6.2mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor