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「sic mosfet」の検索結果
N-chan SiC MOSFETWOLFSPEED￥219,800税込￥241,780
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：60 A、最大ドレイン-ソース間電圧：1200 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：52 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：4V、最低ゲートしきい値電圧：2V、最大ゲート-ソース間電圧：-5 V， +20 V、パッケージタイプ：TO-247、実装タイプ：スルーホール、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET、最大パワー消費：330 W、標準ターンオフ遅延時間：26ns、WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet(TM)、C2M(TM)、C3M(TM)シリコンカーバイドパワーMOSFET Creeのパワー部門であるWolfspeedの次世代SiC MOSFET製品で、業界をリードする電力密度とスイッチング効果を実現します。 これらの低容量デバイスは、高いスイッチング周波数を可能にします。冷却要件が軽減され、システム全体の動作効率が向上します。 ； 強化モードNチャンネルSiC技術 ； 高出力ソース絶縁破壊電圧: 最大1200 V ； 複数のデバイスを簡単に接続して駆動 ； 高速スイッチング、低いオン状態抵抗 ； 抗ラッチアップ動作RoHS指令(10物質対応)対応
Wolfspeed Nチャンネル パワーMOSFETWOLFSPEED￥3,798税込￥4,178
1個
翌々日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 58 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥759税込￥835
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Wolfspeed デュアル Nチャンネル パワーMOSFETWOLFSPEED￥93,980税込￥103,378
1個
7日以内出荷
仕様WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュール. Cree Inc.の電源部門であるWolfspeedのシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュールです。このSiC MOSFETモジュールは、業界標準のパッケージに収納され、ハーフブリッジ(2 MOSFET)及び3相(6 MOSFET)形式で利用可能で、SiC逆回復ダイオードが付属します。 誘導加熱、太陽光及び風力インバータ、DC-DCコンバータ、3相PFC、ライン回生ドライブ、UPS及びSMPS、モータドライブ及びバッテリ充電器などが主な用途です。. ； MOSFETターンオフテール電流及びダイオード逆回復電流は効率的にゼロになります。 ； 超低損失高周波動作 ； SiC特性により、並列が容易 ； 通常オフ、フェイルセーフ動作 ； 銅製ベースプレートと窒化アルミ絶縁物によって熱要件を軽減ピン数(ピン)7RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最小ゲートしきい値電圧(V)1.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、+25カテゴリーパワーMOSFET
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 900 V， 9 A， 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ東芝(1件のレビュー)￥949税込￥1,044
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Siliconix Pチャンネル パワーMOSFETVISHAY SILICONIX￥1,998～税込￥2,198～
1袋(25個)ほか
7日以内出荷
チャンネルタイプP実装タイプ表面実装チャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Silicon Labs 絶縁ゲートドライバ 1チャンネルSILICON LABS￥3,398～税込￥3,738～
1袋(5個)ほか
7日以内出荷
仕様ドライバ数：1動作供給電圧 Min：5 V動作供給電圧 Max：30 Vトポロジー：絶縁ゲートドライバ実装タイプ：表面実装ピーク出力電流：4A出力数：1極性：非反転パッケージタイプ：SDIPピン数：6寸法：4.58 x 11.5 x 2.05mmSi826xシリーズの絶縁ゲートドライバ、Silicon Laboratories. Silicon Labs Si826xシリーズのISOdriverを使用すれば、一般的なゲート駆動オプトカプラ向けにピン互換のあるドロップインアップグレードが可能です。 これらのデバイスは、幅広いインバータ制御やモータ制御の用途に使用される電源MOSFET及びIGBTの駆動に最適です。 Si826x絶縁ゲートドライバには、Silicon Labs独自のシリコン絶縁テクノロジーが使用されており、最大5.0 kV RMSをサポートしています。 このテクノロジーによって高性能が実現し、温度や使用年数による変動が削減され、部品間の結合がタイトになり、オプトドライバに比べてコモンモード除去比が向上します。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Siliconix デュアル Nチャンネル パワーMOSFETVISHAY SILICONIX￥999～税込￥1,099～
1袋(10個)ほか
7日以内出荷
ピン数(ピン)8実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Vishay Siliconix Nチャンネル パワーMOSFETVISHAY SILICONIX￥1,598～税込￥1,758～
1袋(10個)ほか
7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
任意波形発生器・ファンクションジェネレータ SDG3000Xシリーズ(2ch、40M/80M/200MHz、1.2GS/s、16bit、40M)SIGLENT￥129,800～税込￥142,780～
1台
32日以内出荷
【高分解能16bit・最大200MHz出力】最大200MHzの出力周波数、1.2GSa/sサンプリング、16bit垂直分解能により、微小な信号変化まで高精度に再現。研究開発・評価試験・品質検証など、精度が求められるBtoB用途に最適です。
【大容量40Mpts任意波形メモリ】196種類の内蔵任意波形とチャネルあたり最大40Mptsのメモリ深度を搭載。複雑な波形や長時間信号も忠実に生成でき、カスタムテストや繰り返し試験に有効です。
【デュアルパルス・PRBS・多彩な変調対応】IGBTやSiC MOSFET評価に有効なダブルパルス出力に対応。最大120MbpsのPRBS信号やAM/FM/PM/FSK/PSK/PWMなど各種変調方式をサポートし、パワー半導体・通信評価に幅広く対応します。
【高忠実度・低ジッタ信号出力】EasyPulseおよびTrueArb技術により、最小8nsパルス、超低ジッタ(最小150ps)、THD 0.075%以下を実現。高速スイッチング回路や高精度アナログ評価に適しています。
用途超低周波帯からの発振が可能で、電気電子・機械・化学など幅広い分野において、低周波の実験・計測用信号源として、汎用的に用いられています仕様周波数分解能：1 μHz、最大振幅：±10 V質量(kg)2.7チャンネル数2ch分解能16ビットインターフェースUSBホスト、USBデバイス、LANディスプレイ7インチタッチスクリーン波形正弦波、矩形波、ランプ波、パルス、ガウスホワイトノイズ、196種類の内蔵任意波RoHS指令(10物質対応)対応サンプルレート1.2 GSa/s変調方式AM、FM、PM、FSK、ASK、PSK、DSB-SC、PWM、Sweep、Burstメモリ長さ40M
