「smc1a」の検索結果

最大順方向電流 = 3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 400V。パッケージタイプ = SMC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

最大順方向電流 = 3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 1000V。パッケージタイプ = SMC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 50pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.3mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.3mm。整流ダイオード、2 A → 40 A、Diodes Inc

最大順方向電流 = 5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = SMC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 40pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.3mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.3mm。整流ダイオード、2 A → 40 A、Diodes Inc

リードスイッチが内蔵されたマグネットキャッチです。

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 87.1V。最小ブレークダウン電圧 = 60V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 54V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 17.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。SMC / SMCJシリーズ1500 W TVSダイオード、Bourns Electronics. コンパクトなチップパッケージ、DO-214AB (SMC)サイズフォーマットのサージ電圧及びESD保護アプリケーション用過渡電圧サプレッサダイオードです。メーカー品番末尾の「CA」は、双方向デバイスを示します。

ショットキーバリア整流ダイオード - SSシリーズ. HY Electronic (Cayman) Limited SSファミリの表面実装ショットキーバリア整流器です。 これらの製品は、SMA、SMB、SMC設計でパッケージ化されています。 逆電圧の範囲は20 ～ 100 Vで、順電流の範囲は1 ～ 5 Aです。 用途には、還流、インバータ、及び極性保護があります。. ガード付き金属半導体ジャンクション エピタキシャル構造 低順方向電圧降下 成形プラスチックケース(プラスチックの難燃性等級: UL 94V-0) 極性: カソードバンドで表示

方向性タイプ 単方向。最大クランピング電圧 64.3V。最小ブレークダウン電圧 34.2V。実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 30.8V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 1500W。最大ピークパルス電流 156A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -40 ℃。動作温度 Max +150 ℃mm。高さ 2.45mm。Transil TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向。最大クランピング電圧 13.4V。最小ブレークダウン電圧 6.45V。実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ SMC。最大逆スタンドオフ電圧 5.8V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 1500W。最大ピークパルス電流 746A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -55 ℃。動作温度 Max +150 ℃mm。幅 6.25mm。Transil TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 64.3V。最小ブレークダウン電圧 34.2V。実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ SMC。最大逆スタンドオフ電圧 30.8V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 1500W。最大ピークパルス電流 156A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -55 ℃。寸法 7.15 6.25 2.45mm。幅 6.25mm。Transil TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronics

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 121V。最小ブレークダウン電圧 = 92.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 75V。ピン数 = 2。最大ピークパルス電流 = 12.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 163A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 75.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.42mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 24.4V。最小ブレークダウン電圧 = 16.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 15V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 61.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 243V。最小ブレークダウン電圧 = 167V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 150V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 6.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 48.4V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 31A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 53.3V。最小ブレークダウン電圧 = 36.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 33V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 28.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。SMT単方向1500 W TVSダイオード、SMCJシリーズ、Littelfuse

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 24.4V。最小ブレークダウン電圧 = 16.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 15V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 61.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.417mm。高さ = 2.417mm。SMT単方向1500 W TVSダイオード、SMCJシリーズ、Littelfuse

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 45.4V。最小ブレークダウン電圧 = 31.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 28V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 33A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。高さ = 2.42mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 19.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.417mm。SMT単方向1500 W TVSダイオード、SMCJシリーズ、Littelfuse

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 209V。最小ブレークダウン電圧 = 144V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 130V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 7.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 53.3V。最小ブレークダウン電圧 = 36.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 33V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 28.1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 19.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 48.4V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 31A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。SMT双方向1500 W TVSダイオード、SMCJシリーズ、Littelfuse

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 38.6A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。SMT単方向1500 W TVSダイオード、SMCJシリーズ、Littelfuse

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 750mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。ショットキーバリア整流ダイオード - SSシリーズ. HY Electronic (Cayman) Limited SSファミリの表面実装ショットキーバリア整流器です。 これらの製品は、SMA、SMB、SMC設計でパッケージ化されています。 逆電圧の範囲は20 ～ 100 Vで、順電流の範囲は1 ～ 5 Aです。 用途には、還流、インバータ、及び極性保護があります。. ガード付き金属半導体ジャンクション エピタキシャル構造 低順方向電圧降下 成形プラスチックケース(プラスチックの難燃性等級: UL 94V-0) 極性: カソードバンドで表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 500mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40A。ショットキーバリア整流ダイオード - SSシリーズ. HY Electronic (Cayman) Limited SSファミリの表面実装ショットキーバリア整流器です。 これらの製品は、SMA、SMB、SMC設計でパッケージ化されています。 逆電圧の範囲は20 ～ 100 Vで、順電流の範囲は1 ～ 5 Aです。 用途には、還流、インバータ、及び極性保護があります。. ガード付き金属半導体ジャンクション エピタキシャル構造 低順方向電圧降下 成形プラスチックケース(プラスチックの難燃性等級: UL 94V-0) 極性: カソードバンドで表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 500mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。ショットキーバリア整流ダイオード - SSシリーズ. HY Electronic (Cayman) Limited SSファミリの表面実装ショットキーバリア整流器です。 これらの製品は、SMA、SMB、SMC設計でパッケージ化されています。 逆電圧の範囲は20 ～ 100 Vで、順電流の範囲は1 ～ 5 Aです。 用途には、還流、インバータ、及び極性保護があります。. ガード付き金属半導体ジャンクション エピタキシャル構造 低順方向電圧降下 成形プラスチックケース(プラスチックの難燃性等級: UL 94V-0) 極性: カソードバンドで表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 700mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40A。ショットキーバリア整流ダイオード - SSシリーズ. HY Electronic (Cayman) Limited SSファミリの表面実装ショットキーバリア整流器です。 これらの製品は、SMA、SMB、SMC設計でパッケージ化されています。 逆電圧の範囲は20 ～ 100 Vで、順電流の範囲は1 ～ 5 Aです。 用途には、還流、インバータ、及び極性保護があります。. ガード付き金属半導体ジャンクション エピタキシャル構造 低順方向電圧降下 成形プラスチックケース(プラスチックの難燃性等級: UL 94V-0) 極性: カソードバンドで表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。ショットキーバリア整流ダイオード - SSシリーズ. HY Electronic (Cayman) Limited SSファミリの表面実装ショットキーバリア整流器です。 これらの製品は、SMA、SMB、SMC設計でパッケージ化されています。 逆電圧の範囲は20 ～ 100 Vで、順電流の範囲は1 ～ 5 Aです。 用途には、還流、インバータ、及び極性保護があります。. ガード付き金属半導体ジャンクション エピタキシャル構造 低順方向電圧降下 成形プラスチックケース(プラスチックの難燃性等級: UL 94V-0) 極性: カソードバンドで表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。ショットキーバリア整流ダイオード - SSシリーズ. HY Electronic (Cayman) Limited SSファミリの表面実装ショットキーバリア整流器です。 これらの製品は、SMA、SMB、SMC設計でパッケージ化されています。 逆電圧の範囲は20 ～ 100 Vで、順電流の範囲は1 ～ 5 Aです。 用途には、還流、インバータ、及び極性保護があります。. ガード付き金属半導体ジャンクション エピタキシャル構造 低順方向電圧降下 成形プラスチックケース(プラスチックの難燃性等級: UL 94V-0) 極性: カソードバンドで表示

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 126V。最小ブレークダウン電圧 = 86.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 78V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 11.9A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm。高さ = 2.75mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 64.5V。最小ブレークダウン電圧 = 44.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 40V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 23.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 32.4V。最小ブレークダウン電圧 = 22.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 20V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 46.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.75mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 38.6A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 75.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0