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コンパクトスピーカーマイク SSM-11CYAESU(旧スタンダードホライゾン)￥6,498税込￥7,148
1個
当日出荷
小型で自然な装着感。Φ3.5mmイヤホンジャック付き
アズワン品番64-8695-22
スピーカーマイク SSM-17HYAESU(旧スタンダードホライゾン)￥5,498税込￥6,048
1個
当日出荷
適合機種FTH-107、FTH-108、FTH-208、FTH-307、FTH-308、FTH-508、SR70A、SR100A、SR40、SR45アズワン品番64-8695-25
防水スピーカーマイク SSM-10CYAESU(旧スタンダードホライゾン)￥13,980税込￥15,378
1個
当日出荷
Φ3.5mmねじ込み式イヤホンジャック付でイヤホン装着時も防水性(IP57)を維持。
アズワン品番64-8696-62
SSM・SLM用ガスケット SSM-Gシリーズタカチ電機工業￥469～税込￥516～
1個
4日以内出荷から5日以内出荷
仕様●t：5材質EPDM対応機種SSM・SLM1215RoHS指令(10物質対応)対応
GCカップリング GC-SSM形(両並形)セイサ￥28,980～税込￥31,878～特価
1個
当日出荷から13日以内出荷
GCカップリングは、カップリングケースの内歯平歯車とカップリングセンターのクラウニングを施した外歯平歯車の噛合により構成されています。
インボリュート歯形を採用し、歯先、歯底は傾きや潤滑を考慮した、特殊形状となっていますので、ケースとセンター間に多少の傾きが生じても、等速回転と滑らかな動力の伝達が行われます。
許容偏角(°)3材質炭素鋼(S45C相当)種類ギヤタイプ
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ東芝￥379税込￥417
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ東芝￥289税込￥318
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW長さ = 1.6mmMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 20 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ東芝￥289税込￥318
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
3Sストレートシャンクドリル S型(皿子ねじ用) SSMFKD(フクダ精工)￥2,598～税込￥2,858～
1本
当日出荷から翌々日出荷
皿子ねじのねじ穴および沈め穴を1工程で加工します。(2級穴規格)
材質SKH51
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ東芝￥229税込￥252
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 180 nsMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
開閉式防水・防塵ステンレスボックス SSMシリーズタカチ電機工業￥19,980～税込￥21,978～
1台
4日以内出荷
特性防水・防塵仕様●材質(ボディー)：ステンレスSUS304 t1.2●材質(鍵)：鋼板SPCC●材質(Z金具)：ステンレスSUS304 t1.5●表面処理(ヒンジ)：バレル研磨●表面処理(ラッチ)：バレル研磨(鍵付)●表面処理(ボディー)：磨き処理#400●表面処理(Z金具)：無処理●表面処理(鍵)：ガラニッケル●色(ガスケット)：黒●個数：カバーボ・ディー・ガスケット×1、ヒンジ・ラッチ(鍵付)・Z金具・鍵×2使用温度範囲(℃)-40～90保護等級IP65材質(カバー)ステンレスSUS304 t1.2材質(ガスケット)EPDM スポンジRoHS指令(10物質対応)対応材質(ヒンジ)ステンレスSUS304 t1.2材質(ラッチ)ステンレスSUS304 t1.2(鍵付)表面処理(カバー)磨き処理#400
PK310D用イヤホンマイク SSM-57AYAESU(旧スタンダードホライゾン)￥3,498税込￥3,848
1個
5日以内出荷
PK310D用イヤホンマイク
イヤフォンジャック3.5Φのイヤホンジャック付
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝￥699税込￥769
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 800 mW標準ターンオフ遅延時間 = 92 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
スマートライト マジックベルト式スカート SSMシリーズ保科製作所￥12,980～税込￥14,278～
1枚
9日以内出荷
生殖腺をガード。男性にも女性にもお使いいただけます。好みの位置で留められるので、フィット感抜群です。
仕様※医療従事者用※(一社)抗菌製品技術協議会(SIAA)の自主規格に適合した製品に与えられる信頼のマーク。JIS規格および国際規格ISO22196にも対応しています。医療機器承認・認証・届出番号医療機器届出番号：13B3X00005601002医薬品医療機器等法一般医療機器
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝￥369税込￥406
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 46 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝￥299税込￥329
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 90 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝￥689税込￥758
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 800 mW動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) SSM3 シリーズ東芝￥219税込￥241
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 2.2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝￥719税込￥791
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 800 mW長さ = 2mmMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
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