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「trt-20」の検索結果

スライドブッシュ トリプル・二面取りフランジ形 TRT TRT20GUU
NB(日本ベアリング)¥6,398税込¥7,0381個61日以内出荷・NBスライドブッシュはボールの転がり運動を利用した直動案内機構です。・簡単な機構で低摩擦の直線運動が得られるため、搬送装置、食品機械・半導体製造装置など多岐にわたって使用されます。・NBスライドブッシュは円筒形状の外筒に保持器が組み込まれ、保持器の案内部はボールが滑らかに循環できるように設計・製作されており、滑らかな直線運動を可能にしています。空間の有効利用でコンパクトな機構・NBスライドブッシュは丸軸を案内に使用しているので、空間が有効に利用でき、コンパクトな機構設計に適しています。・NBスライドブッシュには完全な互換性があり、シャフトとランダムに組合わせて使用可能です。低摩擦・搬送面は精密研削加工で滑らかに仕上がっており、ボールと転送面の接触面積が小さいことから、他の直線運動機構に比べて低摩擦を実現しております。軸径(Φmm)20サイズ20材質(本体)スチールシール種類:両側シール寸法L(mm)主要:118シリーズTRT寸法A(mm)主要:40寸法t(mm)主要:8寸法F(mm)主要:32寸法X(mm)主要:5.5寸法W(mm)主要:46寸法Y(mm)主要:9主要寸法D(mm)・40・Df:62ボール条列5材質(保持器)樹脂寸法dr(mm)主要:20
TRTタートルゲージ
第一計器¥7,598~税込¥8,358~1台5日以内出荷から14日以内出荷最先端のテクノロジー開発による装置の大型化、大容量化が進み、回転機、油圧、水圧ポンプなどにおける機械的振動、特に、油圧の振動がより激化しています。このため従来の圧力計では対応しきれず対策品としてグリセリン封入の圧力計が登場しました。「タートルゲージ」はグリセリン入り圧力計でも制御しきれなかった激しい脈動圧による指針振れの防止を主眼に誕生した製品です。 内部機構に伝達する脈動圧を制御する構造のため、指針の振れがほとんどなく、安定した指示値が読み取れます。ギヤをはじめリンク機構の摩耗を極度に少なくした構造です。 大きく寿命の伸張を図ることに成功した耐久力抜群の商品なので安心して御利用いただけます。材質(接続部)真鍮
TRTタートルゲージ SUS製
第一計器¥14,980~税込¥16,478~1台5日以内出荷から14日以内出荷最先端のテクノロジー開発による装置の大型化、大容量化が進み、回転機、油圧、水圧ポンプなどにおける機械的振動、特に、油圧の振動がより激化しています。このため従来の圧力計では対応しきれず対策品としてグリセリン封入の圧力計が登場しました。「タートルゲージ」はグリセリン入り圧力計でも制御しきれなかった激しい脈動圧による指針振れの防止を主眼に誕生した製品です。 内部機構に伝達する脈動圧を制御する構造のため、指針の振れがほとんどなく、安定した指示値が読み取れます。ギヤをはじめリンク機構の摩耗を極度に少なくした構造です。 大きく寿命の伸張を図ることに成功した耐久力抜群の商品なので安心して御利用いただけます。材質(接続部)SUS316
ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET, 20 V, 1.6 A, 3 ピン パッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ
ON SEMICONDUCTOR¥629税込¥6921袋(10個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 115 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 10 nsPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 20 V, 1.7 A, 3 ピン パッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ
ON SEMICONDUCTOR¥749税込¥8241袋(10個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 5 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応












