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PAV12V35は、NETGEARの法人向けアクセスポイントで利用可能な、12V/3.5Aの電源アダプターです。

1台3役 充電式センサーライトナイトライトに、 停電時の保安灯に、 懐中電灯に(スイッチ切替方式)

エレコム製 法人向けアクセスポイント専用のACアダプターです。 [対象製品]:WAB-M1775-PS、WAB-S1775、WAB-M2133、WAB-I1750-PS、WAB-S1167-PS、WAB-S1167、WAB-S600-PS、WAB-S300 法人様でのご利用でも安心して使用できる高品質、高信頼性のACアダプターです。 温度0～40℃の環境で使用することが出来ます。 本体情報|対応製品:WAB-M1775-PS、WAB-S1775、WAB-M2133、WAB-I1750-PS、WAB-S1167-PS、WAB-S1167、WAB-S600-PS、WAB-S300 本体情報|入力電圧:AC100-240V 50/60Hz 本体情報|出力電圧:DC12V 3.5A 環境条件 動作時|温度:0～40℃ 環境条件 動作時|湿度:10～90%(結露なきこと) 環境条件 保管時|温度:-10～70℃ 環境条件 保管時|湿度:5～95%(結露なきこと) 規格|安全規格準拠:PSE 規格|環境基準:EU RoHS指令準拠(10物質) 外形寸法 (幅×奥行×高さ):ACアダプター本体のみ:約110mm×約45mm×約29mm 質量:ACアダプター本体のみ:約180g、電源ケーブルを含む:約255g 付属品:専用ACケーブル(約1.5m AC125V 7A) 1本、シリアルナンバーラベル 2枚、安全にお使いいただくために 1枚 保証期間:3年

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 4.9mm順方向ダイオード電圧 = 1.2V強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 130 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mm拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

Cooper Bussmann PTSLR1812 シリーズ低抵抗 SMD PTC ヒューズはデータポート、Micromotors とファン、USB 保護、バッテリ充電 / 充電の接続に使用されます。1812 コンパクトなフットプリント 高速のトリップ時間 低電圧携帯型機器 PC ベースの医療機器

Cooper Bussmann PTSLR1206 シリーズの低抵抗 SMD PTC ヒューズは、3.5 A のデータポート、Micromotors とファン、USB 保護、バッテリ充電 / 充電の接続に使用されます。コンパクトな 1206 フットプリント 高速のトリップ時間 低電圧携帯型機器 PC ベースの医療機器

Cooper Bussmann PTSLR1210 シリーズ低抵抗 SMD PTC ヒューズは、3.5 Aデータポート、Micromotors とファン、USB 保護、バッテリ充電 / 充電の接続に使用されます。コンパクトな 1210 フットプリント 高速のトリップ時間 低電圧携帯型機器 PC ベースの医療機器

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A、3.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 95 m Ω 、 190 m Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mm強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

IGBT

断面構造を独特の幅狭形状にすることにより、プーリへのグリップ力が大きくなるように設計されています。 拡張力も高く、柔軟で変形の少ない、高伝動能力をもったV形ベルトです。

パワーエースは従来のVベルトの断面形状を変えることにより、伝動力、寿命などを大幅に向上した高動力伝動用Vベルトです。 各種伝動装置のコンパクト化、あらゆる分野の省力化、コスト低減に有効です。 1本当たりの伝道力が高いため、ベルト本数が著しく減少できますので、装置のスペースが従来のVベルトの約1/3に縮小できます。 特殊配合ゴムの使用により、耐油性、耐熱性、難燃性、耐老化性、耐候性など数々の優れた性能を持っています。また、静電防止性能はRMA規格に合格しています。 研究を重ねた材料と製造方法により、寸法安定性に優れています。完全なマッチドセットと相まって、均一な動力伝道を行うことができます。また、保管中の寸法変化もほとんど起こりません。

一般ベルトに比べて上幅が狭く、高さが高い特殊な断面形をしています。 原材料、製造方法によりベルト走行時に抗張体に均一な応力を与え、伝動効率を高めるベルトです。

端子の絶縁・色で区別する事が出来ます。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

国内最多の約620アイテムを金型から設計し、国内生産している唯一の専業メーカーです。