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ベーシックな鋼製先芯(S種…普通作業用)を使用。 熱・薬品・水・油に強い、ベーシックなゴム1層底のソール。
ブラック 足幅3E 形状ローカット 種類安全靴 材質(アッパー)牛クロム革(ソフト型押) 材質(ソール)合成ゴム1層底 標準質量(g/片足)535(26cm) 機能耐油性、耐薬品性 JIS規格JIS T8101 C1/S/BO 材質(先芯) 耐圧迫性荷重(kN)10±0.1 甲被タイプ紐タイプ 靴タイプ革靴
1足
7,998 税込8,798
当日出荷から5日以内出荷
バリエーション一覧へ (14種類の商品があります)

甲プロテクタが重量物などを扱う人の足甲を落下物から保護します。靴底は油や薬品に強い合成ゴム底のためハードな職場に最適です。靴底を成形する際にゴム底とアッパーを同時に圧着するため耐久性に優れています。足先の圧迫や衝撃から足先を守るベーシックな鋼製先芯を使用しています。
ブラック 材質(先芯) 足幅3E 材質(甲板)牛クロム革、アルミ 形状ローカット 質量(kg)1 種類安全靴 材質(ソール)合成ゴム1層 材質(甲被)牛クロム革(ソフト型押) JIS規格JIS_T_8101_革製S種<普通作業用>M合格 耐圧迫性荷重(kN)10±0.1 材質(インソール)EVA半敷 甲被タイプ紐タイプ 靴タイプ革靴
1足
9,998 税込10,998
当日出荷から8日以内出荷
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靴底から静電気を逃がし、スパークの発生を防止します。従来品から甲革・中敷などを改良し、履き心地が向上しました。低温度環境でも安定した静電気除去性能を発揮します。靴底を成形する際にゴム底とアッパーを同時に圧着するため耐久性に優れています。足先の圧迫や衝撃から足先を守るベーシックな鋼製先芯を使用しています。
用途運輸業、倉庫業、建設業など ブラック 足幅EEE 形状ローカット 種類静電安全靴 材質(アッパー)牛クロム革(ソフト型押) 材質(ソール)合成ゴム1層底 電気抵抗値1.0×105~8)Ω(23℃ C1) 機能静電、耐熱 JIS規格JIS T 8101 革製S種〈普通作業用〉合格/JIS T 8103 ED-P/C1合格(一般静電靴) 材質(先芯) 耐圧迫性荷重(kN)10±0.1 材質(インソール)EVA半敷 甲被タイプ紐タイプ 靴タイプ革靴
1足
特価
5,698 税込6,268
当日出荷から9日以内出荷
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破れや剥離などで傷つきやすいつま先革をカバーするために、鋼製先芯を内部から外部に出した安全靴です。靴底は油や薬品に強い合成ゴム底のためハードな職場に最適です。靴底を成形する際にゴム底とアッパーを同時に圧着するため耐久性に優れています。
ブラック 材質(先芯) 足幅3E 規格JIS_T_8101_革製S種<普通作業用>合格 形状ローカット 質量(kg)1 種類安全靴 材質(ソール)合成ゴム1層 材質(甲被)牛クロム革(ソフト型押) JIS規格JIS T8101 CⅠ/S/BO/H 耐圧迫性荷重(kN)10±0.1 材質(インソール)EVA半敷 甲被タイプ紐タイプ 靴タイプ革靴
1足
8,998 税込9,898
3日以内出荷から5日以内出荷
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油や薬品に強いアッパーと靴底のためハードな職場に最適な安全靴です。 靴底を成形する際アッパーを同時に圧着するため耐久性に優れています。 圧迫や衝撃から足先を守るベーシックな鋼製先芯を使用しています。
形状ローカット 種類安全靴 規格JIS T 8101 革製S種<普通作業用>合格 材質(アッパー)牛革(ウレタン加工) 材質(底部)ゴム1層 材質(先芯) 耐圧迫性荷重(kN)10±0.1 甲被タイプ紐タイプ 靴タイプ革靴
1足
8,398 税込9,238
翌々日出荷から30日以内出荷
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工場内の機械保全や電気工事関係など感電の危険性がある作業及び場所で使用します。万が一AC300V以下の低圧電気回路に触れても、感電を軽減できるよう10[[の9乗]]Ω以上のゴム底の電気抵抗を確保します。樹脂先芯搭載でつま先の安全性能はJIS S種の規格を満たしています。
用途工場内の機械保全や電気工事関係などの業務で電気回路に触れて感電などを引き起こす恐れのある作業および場所にて。 足幅EEE 形状ローカット 質量(kg)1 種類セーフティーシューズ 規格JIS T 8101 C1/S合格 電圧(V)直流750以下、交流300以下 材質(アッパー)牛クロム革(ソフト型押) 材質(ソール)ゴム1層 機能絶縁 材質(先芯)樹脂 試験電圧(V/1分)AC50Hz3K 耐圧迫性荷重(kN)10±0.1 甲被タイプ紐タイプ 靴タイプ革靴
1足
9,998 税込10,998
当日出荷から翌々日出荷
バリエーション一覧へ (10種類の商品があります)

熱硬化性ケース 形V-15/形V-10タイプ
用途ドア開閉時の電流しゃ断用などの用途に使用可能
1個
特価
199 税込219
当日出荷から106日以内出荷
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仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 4.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,498 税込1,648
5日以内出荷

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 210 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1個
109 税込120
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = IPAK (TO-251)。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 36 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V。長さ = 6.73mm。高さ = 6.22mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,598 税込1,758
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 650 V●パッケージタイプ : IPAK (TO-251)●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 1 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 5V●最低ゲートしきい値電圧 : 4V●最大パワー消費 : 96 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : ±30 V●幅 : 2.4mm●高さ : 6.2mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,698 税込1,868
5日以内出荷

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 6.22mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(75個)
6,698 税込7,368
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2.5V●最大連続ドレイン電流:4.5 A 高さ(mm)6.3 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮します パッケージIPAK (TO-251) 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)52 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)600 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)900 最大ゲート-ソース間電圧(V)30 トランジスタ構成シングル
1袋(5個)
1,398 税込1,538
5日以内出荷