研究用高純度シリコンウェハー 1枚入
長さ(mm)(OF)47.5±2.5抵抗値0.1～100Ω・cm製造方法CZ法位置(OF)110方位(面)100ウェハー厚(μm)625±25内容量1枚
注意
※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。地域運賃
| 地域 | 単位 | 配送費 |
|---|---|---|
| 離島 | 数量1以上のご注文(同一注文コードにつき) | ¥20,000/税込¥22,000 |
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