onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 11 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
高さ(mm)2.39
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+175
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)11
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)107
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-16、+16
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費38 W
内容量1箱(10個)
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