- 仕様
- 強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
- 高さ(mm)
- 2.39
- ピン数(ピン)
- 3
- 動作温度(℃)
- (Max)+175
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- N
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(A)
- 11
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 60
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 107
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 1
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -16、+16
- トランジスタ構成
- シングル
- 最大パワー消費
- 38 W
