onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：14 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：25 nC @ 5 V、40 nC @ 10 V
高さ(mm)2.39
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)48000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10
トランジスタ構成シングル
内容量1個
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