onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：18 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：40 nC @ 5 V
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージTO-220
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)110
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)200
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
内容量1箱(5個)
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