onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， 表面実装， FQB5N90TM
仕様
この N チャンネル拡張モードパワー MOSFET は、独自の平面ストライプと DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この Advanced MOSFET 技術は、オン状態の抵抗を低減するように特別に調整されており、優れたスイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を実現しています。Switched Mode5.4A 、 900 V 、 RDS ( on )
2.7 A 低ゲート電荷量(標準) 31 nC ) 低 CRSs (標準) 13 pF ) 用途 照明
ピン数(ピン)2 + Tab
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
パッケージD2PAK
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大パワー消費(W)158
最大動作温度(℃)150
内容量1箱(5個)
2.7 A 低ゲート電荷量(標準) 31 nC ) 低 CRSs (標準) 13 pF ) 用途 照明
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