onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， 表面実装， FQB5N90TM

この N チャンネル拡張モードパワー MOSFET は、独自の平面ストライプと DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この Advanced MOSFET 技術は、オン状態の抵抗を低減するように特別に調整されており、優れたスイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を実現しています。Switched Mode5.4A 、 900 V 、 RDS ( on )
2.7 A 低ゲート電荷量(標準) 31 nC ) 低 CRSs (標準) 13 pF ) 用途 照明