仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:17 A高さ(mm)9.4ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプP最大パワー消費(W)79材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)120最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 , +25トランジスタ構成シングル内容量1箱(5個)