仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)5チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)6.1最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)58.8最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ19 nC @ 10 V内容量1箱(25個)