onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 6.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.6V●最大連続ドレイン電流：6.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：6.2 nC @ 4.5 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)2000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)30
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10
トランジスタ構成絶縁型
内容量1箱(5個)
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