onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 7.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：7.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：28 nC @ 10 VシリーズUltraFETピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)23最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル内容量1箱(5個)
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