onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 10.2 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大連続ドレイン電流：10.2 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル内容量1箱(5個)
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