onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 11.6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧:1.2V●最大連続ドレイン電流:11.6 A
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)2500
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)10
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
内容量1箱(5個)