onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 11.6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 11.6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemi

仕様●最低ゲートしきい値電圧:1.2V●最大連続ドレイン電流:11.6 A ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)対応 特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor パッケージSOIC 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)2500 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)30 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)10 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル 最小動作温度(℃)-55 内容量1箱(5個)
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