- 仕様
- ●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大連続ドレイン電流：11.6 A
- ピン数(ピン)
- 8
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 特性
- PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
- パッケージ
- SOIC
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(mW)
- 2500
- 材質(トランジスタ)
- Si
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 30
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 10
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20 ， +20
- トランジスタ構成
- シングル
- 最小動作温度(℃)
- -55
