onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 11.5 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：11.5 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)69チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)20最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル内容量1箱(5個)
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