onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 39 A 表面実装 パッケージPQFN8 8 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：39 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：11.7 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 AパッケージPQFN8実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)73チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル内容量1個
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