onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 1.9 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン
仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrench(R) MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造を
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
チャンネルタイプP
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1.9
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)270
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8
トランジスタ構成絶縁型
最大パワー消費960 mW
内容量1箱(10個)
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