onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 58 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大連続ドレイン電流：58 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 AパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)55チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最大動作温度(℃)175内容量1箱(5個)
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