onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 11.2 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：11.2 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)5材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)17最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル内容量1箱(2個)
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