ISSI, SRAM 8Mbit, 512 K x 16ビット, 44-Pin IS62WV51216BLL-55TLI
プロダクトパッケージ製品の内391-731P,391-725P,391-680P,391-729P,392-362P,391-719P,391-640P,391-630P,391-684P,391-703P,391-624P,391-707P,391-696P,391-628PにおいてDRAMの表記がありますがSRAMです。.SRAM、ISSI.ISSIスタティックRAM製品は、高性能CMOSテクノロジーを使用しています。5V高速非同期SRAM、高期低電力非同期SRAM、5V低電力タイプ非同期SRAM、超低電力CMOSスタティックRAM、PowerSaver:sup>:TM:/sup>:低電力非同期SRAMなど、幅広いスタティックRAM製品を取り揃えています。ご用意しています。ISSISRAMデバイスは、さまざまな電圧、メモリサイズ、構成の製品を取り揃えています。CPUキャッシュメモリ、組み込みプロセッサ、ハードドライブ、産業エレクトロニクス用スイッチなどさまざまな用途に適しています。.電源:1.8V/3.3V/5V提供パッケージ:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP選択可能な構成:x8及びx16高速非同期SRAMの場合はECC機能も使用可能
- 仕様
- ローパワーあり、最大ランダムアクセス時間:55ns
- 寸法(mm)
- 18.52×10.29×1.05
- 高さ(mm)
- 1.05
- タイプ
- タイミング:非シンクロナス
- 構成
- 512Kx16ビット
- メモリー
- 8Mbit
- ピン数(ピン)
- 44
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 実装タイプ
- 表面実装
- 動作供給電圧(V)
- (Min)2.5
- アドレスバス幅
- 19bit
- 1ワード当たりのビット数
- 16bit
- ワード数
- 512k
- 内容量
- 1個
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