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ON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 800 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 800 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
279税込307
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS 東芝Toshiba NPN トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS東芝
1,998税込2,198
1袋(5個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
トランジスタ(2SA1015-Y相当品) KECトランジスタ(2SA1015-Y相当品)KEC
27税込30
1個
4日以内出荷
汎用PNPトランジスタ hFEのリニアリティが優れています。 低雑音です。 KTC3198とコンプリメンタリです。 廃品種となった東芝製の2SA1015-Yと互換性があります。
仕様【VCBO】-50V、【VCEO】-50V【VEBO】-5V【IC】-150mA【IB】-50mA【Tj】150℃【Tstg】-55~+150℃極性PNPトランジスタhFE120~240RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-92
ON Semiconductor NPN トランジスタ スルーホール ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ スルーホールON SEMICONDUCTOR
329税込362
1袋(10個)ほか
当日出荷から7日以内出荷
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
169税込186
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) 東芝Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝
229税込252
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 300 V, 500mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 300 V, 500mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
329税込362
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 60 V, 800 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ, 60 V, 800 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
299税込329
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 25 V, 1.5 A, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 25 V, 1.5 A, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
369税込406
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
トランジスタセット(17種×各10個) DFRobotトランジスタセット(17種×各10個)DFRobot
2,198税込2,418
1セット
4日以内出荷
一般的によく使われる17種類のトランジスタがパッケージされています。 ちょっとした回路を製作するのに便利です。 ※手作業で梱包しておりますので、1個か2個の数量の違いはあるかと思います。ご容赦ください。 ※2種類のリード(ストレートとベント)がパッケージに混在しています。
内容S9012×10、S9013×10、S9014×10、S9015×10、S9018×10、A1015×10、C1815×10、A42×10、A92×10、2N5401×10、2N5551×10、A733×10、C945×10、S8050×10、S8550×10、2N3906×10、2N3904×10
PNP 小信号トランジスタ 表面実装 3-Pin DiodesZetexPNP 小信号トランジスタ 表面実装 3-PinDiodesZetex
879税込967
1袋(50個)ほか
7日以内出荷
小信号 NPN トランジスタ 表面実装 3-Pin DiodesZetex小信号 NPN トランジスタ 表面実装 3-PinDiodesZetex
819税込901
1袋(50個)ほか
7日以内出荷
Nexperia NPN トランジスタ nexperiaNexperia NPN トランジスタnexperia
379税込417
1袋(10個)ほか
翌々日出荷から8日以内出荷
Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) 東芝Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝(2件のレビュー)
229税込252
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +125 ℃RFバイポーラトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
2,298税込2,528
1袋(200個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 400 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
229税込252
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC114EKAT146 ROHMローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC114EKAT146ROHM
179税込197
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 100 mA●パッケージタイプ: SMT●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 30●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●ベースエミッタ抵抗器: 10kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC143EKAT146 ROHMローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC143EKAT146ROHM
199税込219
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 100 mA●パッケージタイプ: SMT●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 20●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●ベースエミッタ抵抗器: 4.7kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC144EKAT146 ROHMローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC144EKAT146ROHM
179税込197
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 100 mA●パッケージタイプ: SMT●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 68●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●標準抵抗比: 1mm●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ, PNP, スルーホール, -3 A, BD140 STMicroSTMicroelectronics トランジスタ, PNP, スルーホール, -3 A, BD140STMicro
119税込131
1個
翌々日出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.25 W最小DC電流ゲイン = 100, 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATAonsemi
299税込329
1袋(10個)
4日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
RoHS指令(10物質対応)対応
ROHM PNP トランジスタ, 80 V, 500mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) ROHMROHM PNP トランジスタ, 80 V, 500mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)ROHM
849税込934
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 180 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.5 VPNP小信号トランジスタ、ロームRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 2.2 kΩ, 3-Pin ESM 東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 2.2 kΩ, 3-Pin ESM東芝
149税込164
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047幅 = 0.8mm抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics PNP トランジスタ, 80 V, 3 A, 3-Pin SOT-32 STMicroSTMicroelectronics PNP トランジスタ, 80 V, 3 A, 3-Pin SOT-32STMicro
119税込131
1個
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.25 W最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
1,298税込1,428
1袋(50個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 5.33mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
479税込527
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 1mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -200 mA, MMBT3906LT1G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -200 mA, MMBT3906LT1Gonsemi
539税込593
1袋(50個)
5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -200 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -40 V●パッケージタイプ : SOT-23●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 300 mW●最小DC電流ゲイン : 100●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 40 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 250 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 0.94×2.9×1.3mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, MMUN2113LT3G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, MMUN2113LT3Gonsemi
399税込439
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -50 V●パッケージタイプ : SOT-23●実装タイプ : 表面実装●トランジスタ構成 : シングル●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルPNPトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -10 A, 2SA2222SG onsemionsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -10 A, 2SA2222SGonsemi
4,198税込4,618
1セット(50個)
欠品中
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -50 V●パッケージタイプ : TO-220F-3FS への変換●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 25 W●最小DC電流ゲイン : 150●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : -50 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : -6 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 10.16×4.7×15.87mm●2SA2222SG はバイポーラトランジスタです。 -50 V 、 -10 A 、低 VCE ( sat )、高電流スイッチング用途向けの PNP TO-220F-3FS です。M ビットプロセスの採用 大電流容量( IC : -10 A ) 低コレクタ - エミッタ飽和電圧( VCE ( sat ) : -250 mV (標準) 高速スイッチング( tf : 22 ns (標準)) 用途 リレードライバランプドライバモータドライバRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, DTA114TKAT146 ROHMローム 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, DTA114TKAT146ROHM
1,398税込1,538
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ: PNP●最大DCコレクタ電流: -100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: -50 V●パッケージタイプ: SOT-346●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 100●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1RoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC114EU3HZGT106 ROHMローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC114EU3HZGT106ROHM
569税込626
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: 50 V●パッケージタイプ: SOT-323 (SC-70)●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 30●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1RoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, DTD123YKT146 ROHMローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, DTD123YKT146ROHM
159税込175
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 500 mA●パッケージタイプ: SMT●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 56●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●動作温度 Max: +150 ℃kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC557BTA onsemionsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC557BTAonsemi
1,798税込1,978
1袋(100個)
3日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -1.5 A, SS8550DTA onsemionsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -1.5 A, SS8550DTAonsemi
319税込351
1袋(10個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 120, 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 200 mA, 2N3904BU onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 200 mA, 2N3904BUonsemi
1,298税込1,428
1袋(50個)
3日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC546BTA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC546BTAonsemi
999税込1,099
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5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1.5 A, SS8050DTA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1.5 A, SS8050DTAonsemi
369税込406
1袋(10個)
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トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 120, 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MMBT3904T-7-F DiodesZetexDiodesZetex トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MMBT3904T-7-FDiodesZetex
899税込989
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5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
PNP トランジスタ 表面実装 3-Pin DiodesZetexPNP トランジスタ 表面実装 3-PinDiodesZetex
559税込615
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PNP トランジスタ 表面実装 3+Tab-Pin DiodesZetexPNP トランジスタ 表面実装 3+Tab-PinDiodesZetex
959税込1,055
1袋(5個)ほか
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