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【特長】高耐圧のPN接合型整流素子です。チップ構造についてメーカー独自の化学的物理的に安定したガラスパッシベーションを使用しており、耐湿性、耐熱性に優れた構造です。【タイプ】アキシャル【電圧(V)】(せん頭逆電圧)600【温度(℃)】(接合部温度)150【保存温度(℃)】-55〜150
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【用途】PN接合より順方向の立ち上がり電圧が低く、スイッチング速度が極めて速く、高速低VFダイオードとして最適の整流素子です。
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【仕様】ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = P600ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V長さ = 9.1mm幅 = 9.1mm高さ = 9.1mmピーク逆回復時間 = 2.5μs動作温度 Min = -50 ℃標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。
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7.
【仕様】Renesas E2 emulator Lite (E2 Lite)オンチップデバッグエミュレータとフラッシュプログラマは、RXシリーズ及びRL78マイクロコントローラ用に設計されています。また、E1エミュレータとの互換性もあります。電圧は3.3 Vで、5 Vではありませんが、E1エミュレータ用のボードに接続できます。このコスト効果の高いデバイスには、RL78及びRXファミリのデバッグ / フラッシュプログラミング用のIDE e2studio及びコンパイラが搭載されています。E2エミュレータLiteは、趣味のプロジェクトから専門的な開発にも対応します。【付属品】USBデータケーブル、ユーザーのデータケーブル
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【仕様】ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V高さ = 9.5mm直径 = 5.3mm動作温度 Max = +150 ℃メーカー品番がNSV-又はSUR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、2 A → 3 A、ON Semiconductor
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【仕様】出力電圧 = 5 V出力電流 Max = 1.5Aパッケージタイプ = TO-220F出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3パワーレーティング = 1W動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃出力数 = 1極性 = 正ロードレギュレーション = 50 mVNJM78xx、1.5 A電圧レギュレータ、新日本無線. 新日本無線 の NJM78xx シリーズの正リニア電圧レギュレータは固定電圧レギュレータです。 この3端子NJM78シリーズの電圧レギュレータは、電圧及び電流出力の調整を求めない限り、外部コンポーネントは必要ありません。 内部熱的過負荷保護、電流制限及び安全領域動作補償機能を統合しています。 NJRレギュレータICは、1.5 Aの出力電流を生成し、シングルポイントレギュレーションで発生する問題を解消するオンカードレギュレーションなど、幅広い用途で用いられています。. 出力電流: 1.5 A 固定電圧範囲: 5 → 20 V 内部短絡保護制限 / 内部熱的過負荷保護 良好なリップル除去率 TO252パッケージ バイポーラテクノロジー
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【特長】定電流ダイオードCRD(Current Regulative Diode)は、小型で、安定した定電流特性を 供給する素子です。 定電流ダイオードCRD Eシリーズは、DO-35 スタイルのDHD(Double Heatsink Diode)構造です。 気密封止で高信頼性、部品材料が安価で量産性に優れている。DO35(300mW)パッケージを使用した小型素子。 これにより、定格電流20mAの高輝度LEDの輝度安定用として定格電流を超えない 一定電流を単一の部品で供給することが可能です。【用途】LED輝度安定用の定電流供給、LED蛍光灯・LED街路灯・LED電球・LEDダウンライト、ツエナーダイオードに定電流を供給する定電圧回路、近接センサ等、各種センサへの定電流供給、バッテリーの充放電回路、電解コンデンサの通電エージング装置、各種半導体の定電流での検査装置、通信回線のイーターフェース、漏電遮断機、圧電アクチュエータへの電流供給、安定化電源回路【定格電力(W)】0.3【許容電流(A)】(逆方向)0.05【対応】RoHS【接着部の温度(℃)】150【相対湿度】45〜75%【周囲温度(℃)】25±3【RoHS指令】6物質対応【動作温度範囲(℃)】-30〜150
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【特長】逆回復特性が向上した高耐圧のPN接合型高速整流素子です。【用途】家電分野はもとより、OA機器、FA機器分野のスイッチング電源などに最適です。スイッチング周波数は100kHz程度であり、高周波化傾向にあるスイッチング電源に対応しています。【タイプ】アキシャル【電流(A)】25【電圧(V)】200【出力電流(A)】1【保存温度(℃)】-55〜150
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15.
【仕様】モータタイプ = ブラシ付きDC出力構成 = フルブリッジ最大IGBTコレクタ電流 = 3A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = HSIPピン数 = 7動作供給電圧 Min = 10 V標準スイッチング周波数 = 100kHz幅 = 3mmモータコントローラ、東芝
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17.
【仕様】ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 35Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPCピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 29mm幅 = 29mmUL E-258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 35シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流35 A ガラス不動態化ジャンクション 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 ファストン端子
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【仕様】モータタイプ = ブラシ付きDC出力構成 = フルブリッジ最大IGBTコレクタ電流 = 4.5A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = HSIPピン数 = 7動作供給電圧 Min = 10 V標準スイッチング周波数 = 100kHz動作温度 Min = -40 ℃モータコントローラ、東芝
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21.
【仕様】出力電圧 = 1.2 → 37 V出力電流 Max = 1.5Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 可変実装タイプ = スルーホール入力電圧 Min = 3 V入力電圧 Max = 40 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正基準電圧 = 1.25VLM217 / LM317リニア電圧レギュレータ、STMicroelectronics. STMicroelectronics LM217 、 LM317 正電圧リニアレギュレータは、内部電流制限とサーマルシャットダウン機能を備えた堅牢な設計です。 調整可能な電圧レギュレータは、TO220、TO220FP及びD2PAKデバイスによる各種パッケージが用意されています。 このシリーズは負荷電流が1.5 Aで、抵抗ディバイダを使用して1.2 → 37 Vの出力範囲となっています。. 0.1 %のライン及び負荷調整 安全動作領域保護 高電圧対応のフローティング動作
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25.
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27.
【仕様】ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 24.4V最小ブレークダウン電圧 = 16.7V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 500W最大ピークパルス電流 = 20.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 7.6mmTRANSZORB(R)過渡電圧サプレッサ、アキシャル単方向500 W、Vishay Semiconductor
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30.
【仕様】ダイオード構成 = スタッドアノード整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-5ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.35V長さ = 20.08mm幅 = 17.4mm高さ = 22.9mm動作温度 Min = -65 ℃標準回復整流器、40 A超. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。
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31.
【仕様】トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
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32.
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33.
【仕様】実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIP電源タイプ = デュアル1チップ当たりのチャンネル数 = 2ピン数 = 8標準ゲインバンド幅積 = 15MHz標準デュアル供給電圧 = ±12 V， ±15 V， ±3 V， ±5 V， ±9 V標準スルーレート = 5V/μs動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 8.8 x 6.4 x 3.4mm
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34.
【仕様】ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = P600ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V長さ = 9.1mmピーク逆回復時間 = 2.5μs直径 = 9.1mm寸法 = 9.1 (Dia.) x 9.1mm標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。
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【仕様】トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝
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36.
【仕様】トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor
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37.
【仕様】チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 400 mW動作温度 Max = +150 ℃強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
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