onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， MSC2712GT1G

トランジスタタイプ = NPN
最大DCコレクタ電流 = 100 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V
パッケージタイプ = SC-59
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 200 mW
最小DC電流ゲイン = 200
トランジスタ構成 = シングル
最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V dc
ピン数 = 3
1チップ当たりのエレメント数 = 1
動作温度 Max = +150 ℃mm