onsemi N， Pチャンネル MOSFET60 V 340 mA， 510 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン

チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 340 mA， 510 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 Ω， 10 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 960 mW
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 1.7mm
高さ = 1mm
強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。