Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 20 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
- 仕様
- チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 20 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.8 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V
最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V
最大パワー消費 = 2.5 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 1mm
高さ = 1.5mm
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 内容量
- 1セット(4000個)
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