Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 17 A スルーホール パッケージIPAK (TO-251) 3 ピン
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インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 17 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 45 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V
1チップ当たりのエレメント数 = 1mm
高さ = 6.22mm
最大連続ドレイン電流 = 17 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 45 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V
1チップ当たりのエレメント数 = 1mm
高さ = 6.22mm
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1セット(75個)
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