onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， 表面実装， NTHD3100CT1G
- 仕様
- ●パッケージタイプ - ChipFET●実装タイプ - 表面実装●最大パワー消費 - 1.1 W●ピン数 - 8●1チップ当たりのエレメント数 - 2●動作温度 Max - +150 ℃●パワー MOSFET コンプリメンタリ、 20 - 、 +3.9 A/-4.4 - ChipFET(TM)コンプリメンタリ - チャンネル及び - チャンネル MOSFET です 小型、 40% 小型、 TSOP-6 パッケージです リードレス SMD パッケージは、優れた熱特性を発揮します トレンチ - チャンネルで低オン抵抗を実現 テストスイッチング用の低ゲートチャージ - チャンネル 用途 DC-DC 変換回路 レベルシフトが必要な負荷スイッチ用途 小型ブラシレス DC モータを駆動します ポータブル、バッテリ駆動製品の電源管理用途に最適です
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 内容量
- 1セット(3000個)
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