40×40mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
![40×40mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono05087261-241204-02.jpg "注文コード：05088460,05088469,05088478,05088487,05088496,05088505,05088521,05088530,05088539,05088548,05088557,05088566,05088575")
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：40×40●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
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