「パワーMOSFET」のおすすめ人気ランキング【通販モノタロウ】

Renesas Electronics NチャンネルパワーMOSFET， 55 V， 82 A， 3 ピンパッケージD2PAK (TO-263) RENESAS

RENESASRenesas Electronics NチャンネルパワーMOSFET， 55 V， 82 A， 3 ピンパッケージD2PAK (TO-263)

仕様チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 82 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩ。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 1.8 W。標準入力キャパシタンス @ Vds = 6400 pF @ 25 V。。Nチャンネル低電圧MOSFET、最大140V、ルネサスエレクトロニクスRoHS指令(10物質対応)対応

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￥689税込￥758

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Allegro Microsystemsアレグロ，ホール効果スイッチ IC

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￥379～税込￥417～

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onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 115 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： SOT-23●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 7.5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最大パワー消費： 300 mW●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●トランジスタ素材： Simm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60VRoHS指令(10物質対応)対応

1セット(3000個)

￥17,980税込￥19,778

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Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 58 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝

東芝Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 58 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ

仕様チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 58 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。パッケージタイプ = TO-220SIS。実装タイプ = スルーホール。トランジスタ構成 = シングル。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 35 W。1チップ当たりのエレメント数 = 1。。MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥759税込￥835

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onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， BSS123L

パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。パワー MOSFET 170 mA 、 100 V 、 N チャンネル SOT-23品番の先頭が「 BVSS 」の場合は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です鉛フリー用途この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています

RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(50個)

￥789税込￥868

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Renesas Electronics MOSFETパワードライバ， 4A， 4.5～16 V， 8-Pin PDIP RENESAS

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RENESASRenesas Electronics MOSFETパワードライバ， 4A， 4.5～16 V， 8-Pin PDIP

仕様ドライバ数 = 1。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作供給電圧 Max = 16 V。トポロジー = ローサイド。実装タイプ = スルーホール。ピーク出力電流 = 4A。出力数 = 2。極性 = 非反転。パッケージタイプ = PDIP。ピン数 = 8。入力ロジック互換性 = CMOS。幅 = 6.35mm。。ローサイドMOSFETドライバ、Intersil. 最大電圧: 100 V 高性能の入出力伝搬遅延RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(2個)

￥1,598税込￥1,758

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onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 2.4 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン onsemi

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onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 2.4 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 2.4 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 30 V●パッケージタイプ： SOT-23●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 110 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1.4V●最低ゲートしきい値電圧： 0.6V●最大パワー消費： 480 mW●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： ±12 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ： 1.01mm●NチャンネルパワーMOSFET●30 V●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

1袋(100個)

￥2,398税込￥2,638

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東芝Toshiba NチャンネルパワーMOSFET

チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型

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￥529～税込￥582～

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Infineon Pチャンネル小信号 MOSFETトランジスタ INFINEON

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INFINEONInfineon Pチャンネル小信号 MOSFETトランジスタ

仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：300 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：小信号●最大パワー消費：1.8 W●シリーズ：SIPMOS●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応

1リール(1000個)

￥45,980税込￥50,578

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Renesas Electronics デュアル MOSFETパワードライバ， 3.5A， 5～12 V， 8-Pin TSSOP RENESAS

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RENESASRenesas Electronics デュアル MOSFETパワードライバ， 3.5A， 5～12 V， 8-Pin TSSOP

仕様ドライバ数 = 2。動作供給電圧 Min = 5 V。動作供給電圧 Max = 12 V。トポロジー = バッファ。実装タイプ = 表面実装。ピーク出力電流 = 3.5A。出力数 = 2。極性 = 反転。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 8。入力ロジック互換性 = CMOS， TTL。動作温度 Max = +85 ℃RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥1,898税込￥2,088

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ROHM PチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 250 mA， 3 ピンパッケージTSMT ROHM

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ROHMROHM PチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 250 mA， 3 ピンパッケージTSMT

仕様チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 250 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5Ω。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。パッケージタイプ = TSMT。実装タイプ = 表面実装。トランジスタ構成 = シングル。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 200 mW。長さ = 2.9mm。。PチャンネルMOSFETトランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥599税込￥659

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onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 2.6 A 表面実装パッケージSOT-223 3 ピン onsemi

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onsemionsemi Pチャンネル MOSFET60 V 2.6 A 表面実装パッケージSOT-223 3 ピン

仕様●チャンネルタイプ： P●最大連続ドレイン電流： 2.6 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 185 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最大パワー消費： 2.3 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●動作温度 Max ： +175 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 VRoHS指令(10物質対応)対応

1セット(1000個)

￥72,980税込￥80,278

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Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 250 V， 30 A， 3 ピンパッケージTO-3PN 東芝

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東芝Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 250 V， 30 A， 3 ピンパッケージTO-3PN

(1件すべてのレビューを見る)

仕様チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 30 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω。最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大ゲート-ソース間電圧 = +20 V。パッケージタイプ = TO-3PN。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 260 W @ 25 ℃。1チップ当たりのエレメント数 = 1。。MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥2,998税込￥3,298

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Nexperia NチャンネルパワーMOSFET， 200 V， 400 mA， 3 ピンパッケージSOT-89 nexperia

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nexperiaNexperia NチャンネルパワーMOSFET， 200 V， 400 mA， 3 ピンパッケージSOT-89

仕様チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 400 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω。最大ゲートしきい値電圧 = 2.8V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。パッケージタイプ = SOT-89。実装タイプ = 表面実装。トランジスタ構成 = シングル。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 1 W。標準ターンオフ遅延時間 = 49 ns。。NチャンネルMOSFET、100 V以上、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応

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￥659税込￥725

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ROHM デュアル PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 5 A， 6 ピンパッケージSOT-457 (SC-74) ROHM

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ROHMROHM デュアル PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 5 A， 6 ピンパッケージSOT-457 (SC-74)

仕様チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 38 mΩ。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大ゲート-ソース間電圧 = -18 V， +18 V。パッケージタイプ = SOT-457 (SC-74)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 1.25 W。動作温度 Min = -55 ℃。。PチャンネルMOSFETトランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応

1袋(25個)

￥1,498税込￥1,648

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Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 900 V， 9 A， 3 ピンパッケージTO-3PN TK シリーズ東芝

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東芝Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 900 V， 9 A， 3 ピンパッケージTO-3PN TK シリーズ

(1件すべてのレビューを見る)

仕様チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。パッケージタイプ = TO-3PN。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 250 W。1チップ当たりのエレメント数 = 1。。MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

1個

￥949税込￥1,044

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Infineon Pチャンネル MOSFET100 V 38 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン INFINEON

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INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET100 V 38 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 38 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = HEXFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 170 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 150 nC @ 10 Vmm。動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥2,598税込￥2,858

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onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.9 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン onsemi

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onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.9 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

仕様●チャンネルタイプ： P●最大連続ドレイン電流： 1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 30 V●パッケージタイプ： SOT-23●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 350 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 1.25 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 VRoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥339税込￥373

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PチャンネルパワーMOSFET 38 A 表面実装パッケージD2PAK TO-263 3 ピン 1セット 800個入 INFINEON

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INFINEONPチャンネルパワーMOSFET 38 A 表面実装パッケージD2PAK TO-263 3 ピン 1セット 800個入

PチャンネルパワーMOSFET100V→150V、Infineon InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、適したシステム効率を発揮できます。

仕様●チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：38 A●最大ドレイン-ソース間電圧：100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：60 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：D2PAK (TO-263)●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：170 W●トランジスタ素材：Si●RoHS適合状況：適合●コード番号：165-5892アズワン品番68-4150-82

1セット(800個)

￥269,800税込￥296,780

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Nexperia NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 1.05 A， 3 ピンパッケージSOT-23 (TO-236AB) nexperia

20

nexperiaNexperia NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 1.05 A， 3 ピンパッケージSOT-23 (TO-236AB)

仕様チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.05 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 mΩ。最大ゲートしきい値電圧 = 0.85V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)。実装タイプ = 表面実装。トランジスタ構成 = シングル。チャンネルモード = エンハンスメント型。カテゴリー = パワーMOSFET。最大パワー消費 = 417 mW。標準ターンオフ遅延時間 = 45 ns。。NチャンネルMOSFET、最大30 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応

1袋(20個)

￥569税込￥626

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