仕様●サイズ：3インチシリコンウェハ●熱酸化膜膜厚み：900nm±10%●直径(mm)：76.0±0.2●ウェハー厚(μm)：380±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●OF方位：110●抵抗値(Ω・cm)：1～100●OF長(mm)：22.5±2.5●面状態：ミラー/エッチド●パーティクル：ダストフリー●TTV(μm)：≦25●数量：25枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●※膜ムラや膜厚みの狙いの商品につきましては、不問とさせて頂きます。アズワン品番67-6444-44
注意
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●※膜ムラや膜厚みの狙いの商品につきましては、不問とさせて頂きます。
