- 仕様
- デュアルNチャンネルMOSFET、Nexperia
- 幅(mm)
- 1.35
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- パッケージ
- SOT-363(SC-88)
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(mW)
- 445
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(mA)
- 350
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 30
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)
- 2.8
- 最大ゲートしきい値電圧(V)
- 1.1
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 0.6
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -8・8
- トランジスタ構成
- 絶縁型