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SIRA90DP-T1-RE3 Vishay Nチャンネル パワーMOSFET VISHAY 48813425

Vishay Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1リール(3000個)
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
実装タイプ表面実装
最大連続ドレイン電流(A)100
内容量1リール(3000個)注文コード48813425品番SIRA90DP-T1-RE3
参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)¥483,780
販売価格(税別)
439,800
仕様
NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductors
ピン数(ピン)
8
RoHS指令(10物質対応)
対応
パッケージ
SO
実装タイプ
表面実装
チャンネルタイプ
N
最大パワー消費(W)
104
標準ターンオフ遅延時間(ns)
78
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)
100
最大ドレイン-ソース間電圧(V)
30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
1.15
最大ゲートしきい値電圧(V)
2
最小ゲートしきい値電圧(V)
0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)
20
カテゴリー
パワーMOSFET
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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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