- 仕様
- PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors
- ピン数(ピン)
- 8
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- パッケージ
- PowerPAK 1212
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- P
- 最大パワー消費(W)
- 57
- 標準ターンオフ遅延時間(ns)
- 65
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(A)
- 23
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 30
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 9
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 1
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20、+20
- カテゴリー
- パワーMOSFET