- 仕様
- PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
- ピン数(ピン)
- 3
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- パッケージ
- TO-220AB
- 実装タイプ
- スルーホール
- 1チップ当たりのエレメント数
- 1
- チャンネルタイプ
- P
- 最大パワー消費(W)
- 40
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(A)
- 6.1
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 50
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 280
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 2
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20、+20
- カテゴリー
- パワーMOSFET