- 仕様
- PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
- ピン数(ピン)
- 3
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- パッケージ
- D2PAK (TO-263)
- 実装タイプ
- 表面実装
- 1チップ当たりのエレメント数
- 1
- チャンネルタイプ
- P
- 最大パワー消費(W)
- 125
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(A)
- 6.8
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 200
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 500
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 2
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20、+20
- カテゴリー
- パワーMOSFET