- 仕様
- PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductors
- ピン数(ピン)
- 6
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- パッケージ
- TSOP
- 実装タイプ
- 表面実装
- 1チップ当たりのエレメント数
- 1
- チャンネルタイプ
- P
- 最大パワー消費(W)
- 3.6
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(A)
- 8
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 20
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 51
- 最大ゲートしきい値電圧(V)
- 1
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 0.4
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -8、+8
- カテゴリー
- パワーMOSFET