- パッケージ
- TSOP
- 最大パワー消費(W)
- 1.4
- 最大連続ドレイン電流(A)
- 2.3
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 30
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 188
- 仕様
- デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
- 幅(mm)
- 1.7
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- P
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 1.2
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20、+20
- トランジスタ構成
- 絶縁型
- カテゴリー
- パワーMOSFET