IXYS NチャンネルパワーMOSFET

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仕様: チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：18 A、最大ドレイン-ソース間電圧：1000 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：490 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：6.5V、最大ゲート-ソース間電圧：-30 V， +30 V、パッケージタイプ：ISOPLUS247、実装タイプ：スルーホール、ピン数：3、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET、最大パワー消費：500 W、1チップ当たりのエレメント数：1、NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM) Q3シリーズ. IXYSのQ3クラスのHiperFET(TM)パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。高速真性整流器低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量) 低真性ゲート抵抗産業用の標準パッケージ低パッケージインダクタンス高電力密度
注文コード: 49301885
品番: IXFR24N100Q3

参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)￥5,938

販売価格(税別)

￥5,398

仕様: チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：18 A、最大ドレイン-ソース間電圧：1000 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：490 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：6.5V、最大ゲート-ソース間電圧：-30 V， +30 V、パッケージタイプ：ISOPLUS247、実装タイプ：スルーホール、ピン数：3、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET、最大パワー消費：500 W、1チップ当たりのエレメント数：1、NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM) Q3シリーズ. IXYSのQ3クラスのHiperFET(TM)パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。高速真性整流器低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量) 低真性ゲート抵抗産業用の標準パッケージ低パッケージインダクタンス高電力密度
RoHS指令(10物質対応): 対応

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評価ボードROHM税込￥6,488～￥5,898～

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2022-03-31