MMIX1T600N04T2 IXYS Nチャンネル パワーMOSFET IXYS 49303215

IXYS Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1個仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:600 A、最大ドレイン-ソース間電圧:40 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:1.3 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:3.5V、最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V、パッケージタイプ:SMPD、実装タイプ:表面実装、トランジスタ構成:シングル、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:830 W、標準入力キャパシタンス @ Vds:40000 pF @ 25 V、NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM)GigaMOS(TM)シリーズ注文コード49303215品番MMIX1T600N04T2
参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)¥6,488
販売価格(税別)
5,898
仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:600 A、最大ドレイン-ソース間電圧:40 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:1.3 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:3.5V、最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V、パッケージタイプ:SMPD、実装タイプ:表面実装、トランジスタ構成:シングル、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:830 W、標準入力キャパシタンス @ Vds:40000 pF @ 25 V、NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM)GigaMOS(TM)シリーズRoHS指令(10物質対応)対応
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よくあるご質問(FAQ)

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製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
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書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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