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LND150N8-G Microchip Nチャンネル パワーMOSFET MICROCHIP 49517966

Microchip Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1袋(20個)仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:30 mA●最大ドレイン-ソース間電圧:500 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:1 kΩ●最大ゲートしきい値電圧:3V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:TO-243AA●実装タイプ:表面実装●ピン数:4●チャンネルモード:デプレッション型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:1.6 W●1チップ当たりのエレメント数:1●Supertex NチャンネルデプレッションモードMOSFETトランジスタ. Microchip社のSupertexシリーズNチャンネル減損モードDMOS FETトランジスタは、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、そして高速なスイッチング速度が求められる用途に最適です。. 特長. 高入力インピーダンス 低入力静電容量 高速なスイッチング速度 低オン抵抗 二次降伏なし 低い入力及び出力漏れ. 代表的用途. 常時オンスイッチ ソリッドステートリレー コンバータ リニアアンプ 定電流源 電源回路 電気通信注文コード49517966品番LND150N8-G
参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)¥2,858
販売価格(税別)
2,598
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:30 mA●最大ドレイン-ソース間電圧:500 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:1 kΩ●最大ゲートしきい値電圧:3V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:TO-243AA●実装タイプ:表面実装●ピン数:4●チャンネルモード:デプレッション型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:1.6 W●1チップ当たりのエレメント数:1●Supertex NチャンネルデプレッションモードMOSFETトランジスタ. Microchip社のSupertexシリーズNチャンネル減損モードDMOS FETトランジスタは、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、そして高速なスイッチング速度が求められる用途に最適です。. 特長. 高入力インピーダンス 低入力静電容量 高速なスイッチング速度 低オン抵抗 二次降伏なし 低い入力及び出力漏れ. 代表的用途. 常時オンスイッチ ソリッドステートリレー コンバータ リニアアンプ 定電流源 電源回路 電気通信RoHS指令(10物質対応)対応
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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
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書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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